[发明专利]氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体及其制备方法无效
| 申请号： | 200710023732.2 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101337654A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 魏青;孟国文;安小红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;C04B41/50;C23C16/30;C23C16/52 |
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| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体及其制备方法。复合体为硅基底上生成有嵌入硅基底内的微米级空心块状物，该微米级空心块状物的内壁上生成有氧化硅或硅酸锌纳米线阵列；方法为将硅基底和表面覆有锌粉的碳酸锌粉置于流动的氩气气氛中，其中，硅基底位于表面覆有锌粉的碳酸锌粉的下游，在900～1100℃下反应10～20min或50～70min，制得氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，所述的锌粉的纯度为≥99.99wt％，细度为150～250目，所述的碳酸锌粉的纯度为≥99.9wt％，细度为150～250目，所述的流动的氩气气氛为50～70sccm的氩气。它可广泛用于集成光学器件、光波导、近场光学探针以及发光载体、等离子体显示屏、阴极射线管和荧光灯等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 硅酸 纳米 组装 微米 块状 复合体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，包括硅基底和其上的纳米线阵列，其特征在于：所说硅基底上生成有嵌入硅基底内的微米级空心块状物，所说微米级空心块状物的内壁上生成有纳米线阵列，所说纳米线阵列为氧化硅或硅酸锌纳米线阵列。
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