[发明专利]复合材料晶片的制造方法和旧施体基材的再循环方法

摘要

本发明涉及复合材料晶片的制造方法和旧施体基材的再循环方法，所述复合材料晶片的制造方法包括多个步骤，所述再循环方法是对在复合材料晶片的制造方法中获得的施体基材进行再循环的方法，其中为了改善所述施体基材的再循环率，实施至少一个热处理步骤，配置所述热处理步骤以至少部分减少氧沉淀和/或氧核。

主权项

1.一种复合材料晶片的制造方法，特别是绝缘体上覆硅型晶片的制造方法，所述方法包括以下步骤：a)提供初始施体基材(1)，b)在所述初始施体基材(1)上形成绝缘层(5)，c)在所述初始施体基材(1)内形成预定的分离区(7)，d)将所述初始施体基材(1)附着在操作基材(9)上，和e)在所述预定分离区(7)对所述施体基材(1)进行拆分，从而将所述初始施体基材(1)上的层(15)转移至所述操作基材(9)上以形成复合材料晶片(11)，和其特征在于所述方法还包括至少一个热处理步骤，配置所述热处理步骤以至少部分减少，特别是通过分解减少所述初始施体基材(1)和/或所述施体基材(1)的残余部分(13)中的氧沉淀和/或氧核。