[发明专利]低密度漏极HEMT有效
| 申请号： | 200680052007.1 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101336482A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陈敬;刘纪美 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王忠忠 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 用于制作AlGaN/GaN常闭高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法及装置。基于氟(基于阴离子)的等离子体处理或低能离子注入用来修改漏极侧表面场分布，而不使用场极板电极。截止状态击穿电压可得到提高，以及电流崩塌可在LDD－HEMT中被完全抑制，而没有出现增益和截止频率的明显降级。 | ||
| 搜索关键词： | 密度 hemt | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：源极接触和漏极接触；栅极覆盖的垂直不同质半导体材料中的沟道，它使所述源极接触与所述漏极接触电气分离；所述垂直不同质材料在表面附近具有更高的铝份额和更宽的带隙；以及所述半导体材料内的俘获电荷区，它位于所述栅极与所述沟道之间，并且还朝所述漏极横向延伸。
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