[发明专利]无扩散结的非易失性存储器单元无效
申请号: | 200680019982.2 | 申请日: | 2006-06-02 |
公开(公告)号: | CN101189722A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 安德烈·米赫内亚;贝赫纳姆·莫拉迪;有留诚一;李迪;鲁迪克.保罗 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 多个存储器单元堆叠(209-212)形成在衬底上。所述衬底在每个存储器单元堆叠之间不具有扩散区来链接所述存储器单元。所述单元形成得足够接近,使得所述存储器单元通过由沟道区中的每个浮动栅极(222)产生的电场(250-256)串联链接。在一个实施例中,在所述衬底的顶部处植入n层(230)以增加单元之间的导电性。选择晶体管可通过扩散区或通过选择晶体管沟道与存储器单元沟道之间电场的相互作用而链接到串联串。 | ||
搜索关键词: | 扩散 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】:
1.一种存储器装置,其包括:衬底;以及形成在所述衬底上的多个串联耦合的存储器单元堆叠,每个存储器单元堆叠在无扩散区的情况下耦合到邻近的存储器单元堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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