[发明专利]用于光刻胶的曝光后烘焙的方法和设备

摘要

在用于对化学增强光刻胶层进行图样化的方法中，在衬底上提供光刻胶层，光刻胶层包括具有第一溶解度的第一状态的光刻胶分子。将光刻胶层的预定区域暴露到第一辐射中，以在光刻胶层的所暴露的预定区域中生成催化物。将光刻胶层暴露到第二辐射中，并将光刻胶层的预定区域中的光刻胶分子从第一状态转换到具有第二溶解度的第二状态，光刻胶分子的转换通过催化物来催化，以及光刻胶分子的催化转换的活化能通过光刻胶分子中对第二辐射的吸收来降低。用预定的显影剂来显影光刻胶层。

主权项

1.对化学增强光刻胶层进行图样化的方法，包括以下步骤：在衬底上提供所述光刻胶层，所述光刻胶层包括具有第一溶解度的第一状态的光刻胶分子；将所述光刻胶层的预定区域暴露到第一辐射中，以在所述光刻胶层的所暴露的预定区域中生成催化物；将所述光刻胶层暴露到第二辐射中，并将所述光刻胶层的所述预定区域中的光刻胶分子从所述第一状态转换到具有第二溶解度的第二状态，光刻胶分子的转换通过所述催化物来催化，以及所述光刻胶分子的催化转换的活化能通过所述光刻胶分子中对所述第二辐射的吸收来降低；以及用预定的显影剂来显影所述光刻胶层。