[发明专利]曝光装置、曝光方法及元件制造方法有效
申请号: | 200680015882.2 | 申请日: | 2006-03-31 |
公开(公告)号: | CN101171668A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 长坂博之 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的曝光装置具备:供应用以充满曝光用光的光路空间(K1)的液体的液体供应装置,与配置于曝光位置的基板表面相对向、且围住曝光用光的光路空间(K1)的第1岛面(75),以及配置在第1岛面(75)外侧的第2岛面(76)。第1岛面(75)能将液体保持在与基板表面之间。第2岛面(76)设置成不会与和基板表面之间存在的液体的膜接触。据此,在一边移动基板一边进行曝光时,也能将曝光用光的光路空间以液体充满成期望状态。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 方法 元件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种曝光装置,其对基板上照射曝光用光来使所述基板曝光,其特征在于,所述曝光装置具备:液体供应装置,其为了将所述曝光用光的光路空间以液体加以充满而供应液体;第1面,其以和配置在所述曝光用光可照射位置的物体表面相对向、且围着所述曝光用光的光路空间的方式设置,能将所述液体供应装置供应的液体保持在与所述物体之间;以及第2面,其以和所述物体表面相对向、且相对所述曝光用光的光路空间配置在所述第1面的外侧,所述第2面被设置成所述物体表面与所述第2面之间存在的液体膜不会与所述第2面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康,未经株式会社尼康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680015882.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种快速充电公交电车受电弓起升装置
- 下一篇:压力分散型锚索受力状态监测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造