[发明专利]适用于去除蚀刻后的光致抗蚀剂和底部抗反射涂层的组合物有效
| 申请号： | 200680007314.8 | 申请日： | 2006-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101137939A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 大卫·W·明赛克;王威华;大卫·D·伯恩哈德;托马斯·H·鲍姆;梅利莎·K·拉斯 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/32;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种水基组合物和将硬化的光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置上去除的方法。该水基组合物包含至少一种离液序列高的溶质、至少一种碱性碱和去离子水。采用该组合物在集成电路的制造中实现了硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料的高效去除，而不会不利地影响基片上的金属物质、例如铜，也不会破坏在微电子装置结构中使用的低k介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 去除 蚀刻 光致抗蚀剂 底部 反射 涂层 组合 | ||
【主权项】：
1.一种水基去除用组合物，该组合物适用于将光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置基片上去除，所述组合物包含在水性介质中的至少一种离液序列高的溶质和至少一种碱性盐，其中该去除用组合物适用于将光致抗蚀剂和/或BARC材料从其所在的微电子装置上去除。
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