[发明专利]半导体发光元件及其制法有效
| 申请号： | 200680004342.4 | 申请日： | 2006-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101116192A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 酒井光彦;山口敦司;中原健;园部雅之;筒井毅 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制法，该氮化物半导体发光元件的结构能够有效地取出在半导体叠层部与基板内反复进行全反射而衰减的光线，提高外部量子效率。在例如由蓝宝石等构成的基板(1)的表面上，设有包括由氮化物半导体构成的第一导电型层和第二导电型层的半导体叠层部(6)，与该半导体叠层部(6)的表面侧的第一导电型层(例如p型层5)电连接地设有第一电极(例如p侧电极8)，与第二导电型层(例如n型层3)电连接地形成有第二电极(例如n侧电极9)。然后，通过蚀刻除去半导体叠层部(6)的一部分，使得在半导体叠层部(6)的至少芯片周围，半导体叠层部以柱状林立的柱状部(6a)残留，柱状部(6a)周围的n型层(3)露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：基板；半导体叠层部，其由氮化物半导体构成，包括第一导电型层和第二导电型层，设置在所述基板上；第一电极，其与该半导体叠层部表面侧的所述第一导电型层电连接地设置；和第二电极，其与所述第二导电型层电连接地设置，并且，对所述半导体叠层部的一部分进行蚀刻，使得至少在芯片的周围，所述第二导电型层露出，由此形成所述半导体叠层部的台面结构部，并在该台面结构部的周围形成所述半导体叠层部以柱状林立残留的柱状部。
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