[发明专利]电压选择电路有效
| 申请号： | 200610171724.8 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1988388A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 今井敏行;木村纯子 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/0175;H03K19/0185;H03K19/0944;H03K17/687;H03K17/693 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可以稳定输出与输入电压相等的电压作为输出电压而没有功率损耗的电压选择电路。如下这样构成电压选择电路：进行可将控制信号输入到第1反相器(INV1)以及第3反相器(INV3)上、第1反相器(INV1)的输出被输入到第2反相器(INV2)以及第4MOSFET(M12)的栅极、第3反相器(INV3)的输出被输入到第4反相器(INV4)以及第3MOSFET(M11)的栅极、第4反相器(INV4)的输出被输入到第2MOSFET(M10)的栅极的连接，而第2MOSFET(M10)的源极上被输入根据控制信号(IN)所选择的第1输入电压(V1)，而第4MOSFET(M12)的源极上被输入根据控制信号(IN)所选择的第2输入电压(V2)。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 选择 电路 | ||
【主权项】：
1、一种电压选择电路，其特征在于，具有：第1至第4反相器；包含各自漏极之间共用地连接的N型第1MOSFET以及N型第2MOSFET的第1开关电路；以及包含各自漏极之间共用地连接的N型第3MOSFET以及N型第4MOSFET的第2开关电路，进行连接，以使所述第1至第4反相器上被输入共同的驱动电压、所述第1反相器以及第3反相器上被输入控制信号、所述第1反相器的输出被输入到所述第2反相器以及所述第4MOSFET的栅极、所述第2反相器的输出被输入到所述第1MOSFET的栅极、所述第3反相器的输出被输入到所述第4反相器以及所述第3MOSFET的栅极、所述第4反相器的输出被输入到所述第2MOSFET的栅极，所述第2MOSFET的源极上被输入根据所述控制信号所选择的第1输入电压，所述第4MOSFET的源极上被输入根据所述控制信号所选择的第2输入电压，设定所述驱动电压、所述第1输入电压、以及所述第2输入电压的值，使得所述第1MOSFET或者所述第3MOSFET导通时各自栅极/源极间电压比栅极/源极间阈值电压大。
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