[发明专利]一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法无效
| 申请号： | 200610165547.2 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101207022A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;周志强;任正伟;徐应强;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在砷化镓衬底上外延生长GaSb的方法，该方法采用三缓冲层生长工艺，具体包括：A)580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B)550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层；C)450℃条件下AlSb缓冲层上长GaSb/AlSb超晶格缓冲层；D)400－500℃条件下在生长的GaSb/AlSb超晶格缓冲层上生长GaSb外延层。利用本发明，将双缓冲层工艺改变为三缓冲层工艺，先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，然后在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层，在AlSb缓冲层上生长GaSb/AlSb超晶格缓冲层，最后在生长的GaSb/AlSb超晶格缓冲层上生长GaSb外延层，有效的减少了穿通位错，从而提高了GaSb外延层的光学质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 衬底 外延 生长 锑化镓 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法，采用三缓冲层生长工艺，其步骤如下：A)580℃下，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；Ga源在GaAs缓冲层生长温度为1150℃，As/Ga束流比为20；B)550℃下，在GaAs缓冲层上生长锑化铝AlSb缓冲层；Al源在AlSb缓冲层生长时的温度为1180℃，Sb/Al束流比为5；C)450℃下，在锑化铝AlSb缓冲层上生长GaSb/AlSb超晶格缓冲层；，Sb/Al束流比为5，Sb/Ga束流比为6；D)400至500℃下，在GaSb/AlSb超晶格缓冲层上生长GaSb外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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