[发明专利]CMOS图像传感器的像素单元的形成方法有效
| 申请号： | 200610147318.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101202246A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨建平;霍介光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/265;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器像素单元的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为第I区域和第II区域；在第I区域的半导体衬底表面形成绝缘层；在第I区域进行深离子注入形成深掺杂阱；在第I区域进行浅离子注入形成浅掺杂区；在第II区域形成MOS晶体管；所述浅离子注入与MOS晶体管的低掺杂源/漏离子注入同时进行，减少了一块掩模版，降低了工艺步骤和工艺成本。同时，本发明还通过在光电二极管区域的半导体衬底表面形成绝缘层来防止等离子体刻蚀形成多晶硅栅和侧墙工艺中对光电二极管区域的半导体衬底表面的损伤，使得浅离子注入的浓度峰值处在绝缘层中，以防止峰值处浓度太高和深掺杂阱形成突变结，产生漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 单元 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为第I区域和第II区域；在第I区域的半导体衬底表面形成绝缘层，在第II区域的半导体衬底表面形成栅介质层；在第II区域的半导体衬底表面形成多晶硅栅；在第I区域进行深离子注入形成深掺杂阱；同时在第I区域进行浅离子注入和在第II区域进行低掺杂源/漏离子注入；在第II区域的半导体衬底中形成源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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