[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和存储介质有效
| 申请号： | 200610142497.6 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101013654A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 西村荣一;菊地贵伦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/033;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够高效率地除去氧化物层和有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三处理单元(36)包括框体状的处理室容器(腔室)(50)、氧气供给系统(192)和天线装置(191)，氧气供给系统(192)通过氧气供给环(198)向收容有晶片(W)的腔室(50)内供给氧气，天线装置(191)向供给有氧气的腔室(50)内导入微波。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，用于对在表面上形成有由氧化物层覆盖的有机物层的基板进行处理，包括使所述氧化物层与气体分子发生化学反应从而在所述表面上生成生成物的化学反应处理装置、和对在所述表面上生成所述生成物的所述基板进行加热的热处理装置，其特征在于：所述热处理装置包括：收容所述基板的收容室；向该收容室内供给氧气的氧气供给系统；和向所述收容室内导入微波的微波导入装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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