[发明专利]操作离子源的方法和离子注入装置有效
| 申请号： | 200610136051.2 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1953129A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 井内裕;土肥正二郎;安东靖典;松田恭博 | 申请（专利权）人： | 日新意旺机械股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02;H01J37/08;H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当通过使用包含三氟化硼的气体作为离子源气体50，用于将该气体供给到用于离子源2的等离子室20中来从离子源2引出离子束4时，通过偏压电路64，将等离子电极31相对于用于离子源2的等离子室20的偏压VB设置成正。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 离子源 方法 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
1.一种操作离子源的方法，所述离子源包括：等离子室，其中引入离子源气体以及用于内部地产生等离子；离子化部件，其用于通过电子碰撞在所述等离子室中离子化离子源气体以便产生等离子；引出电极系统，其位于所述等离子室的开口部分附近，其从等离子引出离子束，以及具有一个或多个电极；以及用于使等离子电极与所述等离子室电气绝缘的绝缘部件，所述等离子电极为构成所述引出电极系统的所述电极中最接近等离子的电极，以及在所述等离子室的内壁附近形成会切磁场的多个磁体，所述方法包括步骤：当通过使用包含三氟化硼(BF3)的气体作为该离子源气体来引出该离子束时，将所述等离子电极相对于所述等离子室的偏压设置为正。
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