[发明专利]氮化物半导体元件

摘要

为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。

主权项

1.一种氮化物半导体元件，它是在n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述有源层是具有InaGa1-aN(0≤a＜1)层的多量子阱结构；上述n侧氮化物半导体层包含：n侧第一多层膜层，其由含In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下，含n型杂质的n侧接触层，在上述n侧接触层上形成的n侧第二多层膜层，其由包含掺杂了n型杂质的氮化物半导体层、和具有与该氮化物半导体层相同组成且没有掺杂n型杂质的非掺杂的氮化物半导体层的至少两种氮化物半导体层层叠而成，上述n侧第一多层膜位于上述n侧第二多层膜的上面。