[发明专利]多信道薄膜晶体管结构有效
| 申请号： | 200610103583.6 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101114675A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 刘全丰 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管包括有一第一导电层、一绝缘层、一半导体层以及一第二导电层。第一导电层及第二导电层分别具有一闸极结构及一源极/汲极结构。其中第一导电层设置于一基板上，此第一导电层具有一闸极结构。绝缘层覆盖于第一导电层之上。半导体层设置于闸极结构上方的绝缘层上，此半导体层具有数个岛状半导体结构。第二导电层设置于绝缘层及半导体层上，此第二导电层具有一源极结构及一汲极结构。岛状半导体结构的一端与源极结构电性耦合，另一端与汲极结构电性耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 信道 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种多信道薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：一第一导电层，设置于一基板上，该第一导电层具有一闸极结构；一绝缘层，覆盖于该第一导电层之上；一半导体层，设置于该闸极结构上方的该绝缘层上，该半导体层具有数个岛状半导体结构；以及一第二导电层，设置于该绝缘层及该半导体层上，该第二导电层具有一源极结构及一汲极结构；其中每一该些岛状半导体结构的一端与该源极结构电性耦合，另一端与该汲极结构电性耦合。
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