[发明专利]闪存器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610094534.0 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1893031A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 朴丙洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件的制造方法，其中在周边区域，多晶硅层形成以在有源区和隔离膜的界面处的隔离膜上延伸。当除去介电层时，已经被部分湿法蚀刻的隔离膜被过度蚀刻。因此可以防止使栅极氧化膜变薄的减薄现象。结果，可以防止发生在栅极氧化膜中的氧化膜的击穿电压。此外，可以防止晶体管特性退化。此外，可以形成约几百欧姆/平方单位的多晶硅层的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种闪存器件的制造方法，所述方法包括的步骤为：在其中限定了周边区域的半导体衬底上形成第一氧化物膜，然后蚀刻所述第一氧化物膜和半导体衬底以形成沟槽；形成第二氧化物膜使得所述沟槽被掩埋，形成隔离膜；在所得的表面上形成栅极氧化膜和多晶硅层；通过使所述多晶硅层具有预定厚度而形成浮置栅电极；沿所述浮置栅极和隔离膜的台阶形成介电层；除去所述周边区域的介电层；和在所述整个结构上形成用于控制栅极的导电膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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