[发明专利]具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法

摘要

在一个实施例中，半导体器件具有由在STI沟槽内形成的隔离层所限定的有源区，该STI沟槽包括上沟槽和下沟槽，下沟槽在上沟槽之下，具有基本上弧形截面形状，使得下沟槽与上沟槽连通。由于上沟槽具有正斜率的锥形侧壁，当使用绝缘层填充上沟槽时，可以获得良好的间隙填充性能。通过在下沟槽中形成空间，在隔离层的底的介电常数小于在氧化物层的介电常数，由此改善隔离性能。隔离层包括仅在上沟槽内形成并以隔片形式覆盖上沟槽内壁的第一绝缘层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有上沟槽和下沟槽，以共同地限定有源区，下沟槽具有基本上弧形截面形状，下沟槽与上沟槽连通；以及在半导体衬底的上沟槽和下沟槽内形成的隔离层，该隔离层包括：第一绝缘层，仅在上沟槽内形成并覆盖上沟槽的内壁；第二绝缘层，在第一绝缘层上；以及第三绝缘层，在第二绝缘层上并覆盖下沟槽的内壁，以在下沟槽内限定闭合空间。