[发明专利]制造闪存器件的方法无效
| 申请号： | 200610083690.7 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1971883A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 郑宇荣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造闪存器件的方法，包括下列步骤：在其中限定单元区域、源选择线区域和漏选择线区域的半导体衬底上形成栅，然后在栅的侧壁上形成间隔物；在整个结构上沉积氮化物膜和第一层间绝缘膜，蚀刻第一层间绝缘膜的区域以形成源接触孔，在整个结构上形成传导膜以掩埋源接触孔，并抛光传导膜；在整个结构上形成第二层间绝缘膜，然后使用掩模蚀刻第二和第一层间绝缘膜和氮化物膜，由此打开其中将形成单元区域和漏接触的区域；以及在整个结构上形成多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造闪存器件的方法，所述方法包括下列步骤：在其中限定单元区域、源选择线区域和漏选择线区域的半导体衬底上形成栅，然后在栅的侧壁上形成间隔物；在整个结构上沉积氮化物膜和第一层间绝缘膜，蚀刻所述第一层间绝缘膜的区域以形成源接触孔，在整个结构上形成传导膜以掩埋所述源接触孔，并抛光所述传导膜；在整个结构上形成第二层间绝缘膜，然后使用掩模蚀刻所述第二和第一层间绝缘膜以及所述氮化物膜，由此打开其中将形成单元区域和漏接触的区域；以及，在整个结构上形成多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
