[发明专利]半透射型TFT阵列衬底以及半透射型液晶显示装置有效
| 申请号： | 200610074330.0 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1892308A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山下真司;升谷雄一;永野慎吾 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在同一层上设置了源极布线和反射像素电极的半透射型液晶显示装置，即使在保持源极布线和反射像素电极的间隔而形成的情况下，也不降低反射对比度，并且，没有透明像素电极和辅助电容布线发生短路的危险，可修补点缺陷。与透明像素电极(91)在同一层上，在反射区域形成对比度降低防止电极(95)。并且，在平面图上不与辅助电容布线(24)重叠的位置上，设置连接对比度降低防止电极(95)和透明像素电极(91)用的连接部(202)。在对比度降低防止电极(95)和对置电极(未图示)间产生面间短路的情况下，可在连接部(202)上从透明像素电极(91)切断对比度降低防止电极(95)。 | ||
| 搜索关键词： | 透射 tft 阵列 衬底 以及 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半透射型TFT阵列衬底，包括：辅助电容布线，具有形成在绝缘衬底上的辅助电容电极；透明像素电极，在所述绝缘衬底上方，形成在透射区域上；以及对比度降低防止电极，与所述透明像素电极在同一层上，并形成在反射区域上，其特征在于，平面图上不与所述辅助电容布线重叠的位置上设置了连接部，该连接部用于连接所述对比度降低防止电极和所述透明像素电极。
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