[发明专利]耐腐蚀构件无效
| 申请号： | 200610064447.0 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101075550A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 塜谷敏彦;中野瑞;前田孝雄 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/205;H01L21/67;C23F4/00;C23C16/00;H01J37/32;H01J37/00;H05H1/00;B32B9/00;B32B3 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当耐腐蚀构件暴露于含氯气体或其等离子体且随后暴露于环境气氛时，构件表面不吸收湿气。待暴露于含氯气体或其等离子体的构件表面不形成基体材料的氯化物颗粒。在用水冲洗构件后，冲洗水不会显示出对基体的腐蚀性质。构件不存在对基体的损伤而且构件也不会损失耐腐蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 构件 | ||
【主权项】：
1、一种具有待暴露于含氯气体或含氯气体的等离子体的表面的耐腐蚀构件，其中当构件表面暴露于含氯气体或含氯气体的等离子体且随后暴露于环境气氛时，构件表面不吸收湿气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
