[发明专利]在半导体元件中蚀刻介电材料的方法有效
| 申请号： | 200610057344.1 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1841673A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 黎丽萍;张宗生;郭伟毅;李宗宪;蔡俊琳;吴斯安;李音频 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在半导体元件中蚀刻介电材料的方法。提供一导电区域之后，形成一介电层于导电区域之上；再形成一抗反射层于介电层上；执行去除湿气步骤以去除该抗反射层以及该介电层与该抗反射层间的界面区域的湿气；转换一光罩图案至该抗反射层与该介电层中。本发明提供的在半导体元件中蚀刻介电材料的方法，通过在覆盖光刻胶前执行去除湿气步骤，可以一致且完全地蚀刻介层洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 蚀刻 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体元件中蚀刻介电材料的方法，包括：提供一导电区域；形成一介电层于该导电区域之上，并于该介电层上形成一抗反射层；执行一去除湿气步骤以去除该抗反射层及该抗反射层与介电层间的界面的湿气；及转换一光罩的图案至该抗反射层及该介电层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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