[发明专利]一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法无效
| 申请号： | 200610035321.0 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1851941A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王孟源;陈国聪 | 申请（专利权）人： | 普光科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510530广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以提高氮化镓发光二极管芯片P型欧姆接触性能为目的工艺方法。采用磁控溅镀将Ni材料按照纳米点状粒子溅射于GaN基外延层表面，Ni的厚度为1nm～100nm，然后在此Ni金属层表面沉积至少一层的高功函数金属薄膜，Ni金属层与高功函数金属薄膜的厚度比例范围为：1∶0.5～4。或者采用氧化锌取代Ni金属层与高功函数金属薄膜。本发明旨在降低P型发光区接触阻抗的同时提高电流的扩散效率，最终达到接触阻值和发光效率的平衡，而使芯片寿命增加。本发明规定了各接触金属层的厚度比例，和热处理条件及独特的电极图案设计，经过实验证明，能够将GaN LED 1000小时内的光强衰减控制在10％以内，而具有良好的热稳定性，特征接触阻抗降低到2E－6O－cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 氮化 发光二极管 芯片 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法，其特征在于：芯片的第一层电极采用磁控溅镀将金属材料按照纳米点状粒子溅射于GaN基外延层表面，然后在此金属层表面沉积至少一层的高功函数金属薄膜，金属层与高功函数金属薄膜的厚度比例范围为：1∶0.5～4。
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