[发明专利]纳米厚度梁结构的制备方法无效
| 申请号： | 200610011782.4 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1847141A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 范炜;张大成;李婷;王颖;王玮;罗葵;田大宇 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米厚度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：键合区制作、纳米厚度梁结构制作、硅与玻璃键合、纳米厚度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米厚度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 厚度 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米厚度梁结构的制备方法，其步骤包括：(1)键合区制作：在硅片的正面，利用光刻和电感耦合高密度等离子体刻蚀技术制作台阶，该台阶即键合区；(2)纳米厚度梁结构制作：在已经制作好键合区的硅片表面上，利用化学气相淀积或物理气相淀积生长一层纳米厚度的非硅材料薄膜，根据所需要的纳米厚度梁结构的平面尺寸，利用光刻和腐蚀/或刻蚀去除局部的薄膜，制得纳米厚度梁结构；(3)硅与玻璃键合：在硅片上制作完成纳米厚度梁结构之后，硅片上下表面翻转，将上表面已制作好的键合区与玻璃片进行阳极键合；(4)纳米厚度梁结构释放：利用氢氧化钾溶液腐蚀的方法将硅片从背面减薄，然后再利用光刻和电感耦合高密度等离子体刻蚀，将硅片的局部从背面刻蚀穿通，在刻蚀过程中纳米厚度梁结构被保留，纳米厚度梁结构释放形成悬浮结构。
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