[发明专利]Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610003121.7 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101022141A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;陈诺夫;尹志岗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/203;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤2：将衬底加温至一恒温；步骤3：利用射频磁控溅射方法，在氩气环境中将靶材溅射沉积在衬底之上；步骤4：进行原位高温退火处理，得到Mg－Sb共掺杂的p型ZnO薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | mg sb 掺杂 zno 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤2：将衬底加温至一恒温；步骤3：利用射频磁控溅射方法，在氩气环境中将靶材溅射沉积在衬底之上；步骤4：进行原位高温退火处理，得到Mg-Sb共掺杂的p型ZnO薄膜材料。
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