[发明专利]铜互连布线和形成铜互连布线的方法无效
| 申请号： | 200580046189.7 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101107699A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·M·杰弗肯;约翰·J·豪特拉;史蒂文·R·谢尔曼;亚瑟·J·勒恩 | 申请（专利权）人： | TEL艾派恩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L23/48;H01L23/40;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用在互连结构中的铜互连布线层(602)的表面上的一层或多层帽封层(614)，以及通过应用气体团簇离子束处理而形成用于集成电路的改善的集成互连结构的方法。本发明具有降低铜扩散并且提高电迁移寿命的结果，并且避免了选择性金属帽封技术的使用和其附带的产量问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 布线 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在包括一个或多个铜互连表面和一个或多个电介质表面的结构上形成帽封结构的方法，包括以下步骤：将所述结构置于低压室中；在所述低压室内形成加速的帽封GCIB；以及将所述加速的帽封GCIB引导到所述一个或多个铜互连表面和所述一个或多个电介质表面中的至少一个上，以在所述加速的帽封GCIB被引导到其上的一个或多个表面上形成至少一个帽封结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TEL艾派恩有限公司，未经TEL艾派恩有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580046189.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
