[发明专利]用于等离子体处理系统中控制多区喷嘴的耐腐蚀设备无效
申请号: | 200580040567.0 | 申请日: | 2005-09-23 |
公开(公告)号: | CN101087900A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 郝方礼;约翰·E·多尔蒂;詹姆斯·塔潘 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于将气体分配系统连接至多区注入器的集成气体流量控制组件,其包括:第一通道组,用于将气体分配系统连接至第一阀组件、第二阀组件、第三流量组件、和第四流量组件;第二通道组,用于将第三流量组件和第一阀组件连接至第一多区注入器区;以及第三通道组,用于将第四流量组件和第二阀组件连接至第二多区注入器区。如果第一阀组件闭合,则第一多区注入器区的流速约为通过第三流量组件的第三流速,并且如果第二阀组件闭合,则第二多区注入器区的流速约为通过第四流量组件的第四流速。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 处理 系统 控制 喷嘴 腐蚀 设备 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理系统中的集成气体流量控制组件,用于将气体分配系统连接至多区注入器,其包括:第一通道组,用于将所述气体分配系统连接至具有第一流速的第一阀组件、具有第二流速的第二阀组件、具有第三流速的第三流量组件、以及具有第四流速的第四流量组件,其中,当所述第一阀组件基本上打开时,所述第三流速小于所述第一流速,以及当所述第二阀组件基本上打开时,所述第四流速小于所述第二流速;第二通道组,用于将所述第三流量组件和所述第一阀组件连接至第一多区注入器区;第三通道组,用于将所述第四流量组件和所述第二阀组件连接至第二多区注入器区;其中,如果所述第一阀组件闭合,则第一多区注入器区流速约为所述第三流速,以及如果所述第二阀组件闭合,则第二多区注入器区流速约为所述第四流速。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的