[发明专利]具有优化的浅沟槽隔离的SONOS存储器件有效
| 申请号： | 200580030905.2 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101019232A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 皮埃尔·戈阿兰;罗伯茨·T·F·范沙吉克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8246;H01L27/105;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种在存储区中的半导体衬底上制造非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括第一半导体层、电荷捕获层和导电层的单元堆叠，所述电荷捕获层是第一半导体层和导电层之间的中间层，所述电荷捕获层至少包括第一绝缘层，所述方法包括：提供具有第一半导体层的衬底；沉积电荷捕获层；沉积导电层；使单元堆叠形成图案以形成至少两个非易失性存储单元；以及在所述至少两个非易失性存储单元之间中产生浅沟槽隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 沟槽 隔离 sonos 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种在存储区(B)中的半导体衬底上制造非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括第一半导体层(1)、电荷捕获层(12)和导电层(14)的单元堆叠，所述电荷捕获层是第一半导体层和导电层之间的中间层，所述电荷捕获层(12)至少包括第一绝缘层(SiO-1)，所述方法包括：提供具有第一半导体层(1)的衬底；沉积电荷捕获层(12)；沉积导电层(14)；使单元堆叠形成图案以形成至少两个非易失性存储单元(20)；以及在所述至少两个非易失性存储单元之间中产生浅沟槽隔离(STI)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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