[发明专利]光刻用防护胶膜组件及防护胶膜框架有效
申请号: | 200510135708.9 | 申请日: | 2005-12-28 |
公开(公告)号: | CN1797215A | 公开(公告)日: | 2006-07-05 |
发明(设计)人: | 永田爱彦 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种防护胶膜组件,其能够有效防止在持续短波长化的光刻工艺中,掩模基板上雾霭(haze)的产生。本发明的光刻用防护胶膜组件1由防护胶膜框架2,及在该框架的一端面贴附的防护胶膜膜片3所构成,构成光刻用防护胶膜组件的该防护胶膜框架的特征为:对该框架铝合金表面进行阳极氧化处理而形成,且其硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸(乙二酸、蚁酸及醋酸的总量)各自的含有量为:将该框架浸泡于25℃的100毫升纯水中168小时后,该框架每100平方厘米表面积的溶出浓度,均在1.1ppm以下。 | ||
搜索关键词: | 光刻 防护 胶膜 组件 框架 | ||
【主权项】:
1.一种防护胶膜框架,为构成光刻用防护胶膜组件的防护胶膜框架,其由对铝合金的表面施以阳极氧化处理而形成,且其硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸各自的含有量为:将该框架浸泡于25℃的100毫升纯水中168小时后,该框架每100平方厘米表面积的溶出浓度,均在1.1ppm以下,其中有机酸含有量为乙二酸、蚁酸及醋酸的总量。
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