[发明专利]具有窄辐射光谱的半导体发光器件有效
| 申请号： | 200510107621.0 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1758457A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 笹仓贤;川口惠藏;小野华子 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件。当从电极向有源层注入电流时产生辐射。一对包层设置为夹持有源层，所述包层具有比有源层带隙宽的带隙。光吸收层设置在一对包层中至少一个包层外部。光吸收层具有比有源层带隙宽且比包层带隙窄的带隙。能够使辐射光的光谱扩展变窄。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辐射 光谱 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，其包括：基于电流注入用于发射光的有源层；一对夹持所述有源层的包层，所述包层具有比所述有源层的带隙宽的带隙；设置在所述包层对中至少一个包层外部的光吸收层，所述光吸收层具有比所述有源层的所述带隙宽且比所述包层的所述带隙窄的带隙；以及用于注入电流到所述有源层中的电极。
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