[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510074775.4 | 申请日： | 2005-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1694266A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡文庆;李永祥;杜国源;林汉涂 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管元件及其制造方法，该薄膜晶体管元件包括基板、含铜栅极层、第一硅化铜层、栅极绝缘层、半导体层、第二硅化铜层、含铜源极与含铜漏极。其中，含铜栅极层位于基板上方，第一硅化铜层位于含铜栅极层与基板之间，栅极绝缘层位于含铜栅极层上方，半导体层位于栅极绝缘层上方，第二硅化铜层分别位于含铜源极与半导体层之间，以及含铜漏极与半导体层之间，并且含铜源极与含铜漏极位于第二硅化铜层上方。本发明通过提供第一硅化铜层与第二硅化铜层，以加强铜与硅的粘着与避免扩散，因此可促使阻值降低，并增加栅极电极与基板、漏极与半导体层以及源极与半导体层的粘着力，从而提高薄膜晶体管元件的品质可靠性与产率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管元件，包括：一基板；一含铜栅极层，位于该基板上；一第一硅化铜层，位于该含铜栅极层与该基板间；一栅极绝缘层，位于该含铜栅极层上方；一半导体层，位于该栅极绝缘层上；以及一含铜源极与一含铜漏极，分别位于该半导体层上的两端。
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