[发明专利]去除光刻膜的技术有效
| 申请号： | 200510030309.6 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1940732A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王润顺;王超;郑莲晃 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于去除半导体器件制造过程中使用的光刻膜的技术。第一处理室的衬底支撑部件包括至少三个可缩进针脚，所述至少三个可缩进针脚可以将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。此外，第一处理室被配置成将衬底支撑部件自动维持在第一温度。通过使用所述至少三个可缩进针脚将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。从衬底支撑部件对衬底的发热被减少。在衬底处于抬升位置的时候刻蚀掉衬底的光致抗蚀剂层。可以刻蚀衬底的抗反射层以充分去除所有抗反射层。在一个具体实施例中，抗反射层包括Honeywell国际公司的DUOTM底部抗反射涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 技术 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：将衬底置于第一处理室的衬底支撑部件上，所述第一处理室被配置成将衬底支撑部件自动维持在第一温度，并且衬底支撑部件包括至少三个可缩进针脚，所述至少三个可缩进针脚能够将所述衬底抬离衬底支撑部件的表面；将衬底支撑部件保持在第一温度；使用所述至少三个可缩进针脚将所述衬底抬离衬底支撑部件的表面，从而降低从衬底支撑部件对所述衬底的发热；在所述衬底处于抬升位置的时候，在包括氧气的气氛中刻蚀覆盖在所述衬底之上的光致抗蚀剂层；以及刻蚀覆盖在所述衬底上的抗反射层以去除至少约98％的抗反射层；其中在抬升，刻蚀光致抗蚀剂层以及刻蚀抗反射层期间衬底的温度保持低于抗反射层的烘烤温度，以避免抗反射层的稠化，并且第一温度超过抗反射层的烘烤温度。
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