[发明专利]同步曝光的红/绿像素及改进的调制传递函数无效
申请号: | 200410079428.6 | 申请日: | 2004-04-14 |
公开(公告)号: | CN1684267A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 塔纳·多斯洛格鲁;迈克尔·H·布里尔 | 申请(专利权)人: | 戴洛格半导体公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 联邦德国泰*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明说明一种用于检测红光和蓝光的单个像素。该像素包括一形成在一P型外延硅基片上的深N型井。许多P型井形成在深N型井中。这些P型井的使用改进了调制传递函数。该深N型井的深度大约等于由红光产生在硅片中的空穴电子对的深度。而P型井的深度大约等于由绿光产生在硅片中的空穴电子对的深度。通过确定在P型井和深N型井被隔离时一个电荷积累循环后每个P型井和深N型井之间的电位在每个P型井中确定红/绿信号。通过确定在P型井被隔离且深N型井保持在固定的正电压时一个电荷积累循环后每个P型井和深N型井之间的电位在每个P型井中确定绿信号。每个P型井中的红信号通过从每个P型井中的红/绿信号中减去该P型井中的绿信号被确定。 | ||
搜索关键词: | 同步 曝光 像素 改进 调制 传递函数 | ||
【主权项】:
1、一种从主动像素传感器提取红和绿信号的方法,包括:提供一个像素,其包括一个P型硅基片,一个形成于所述基片中的深N型井,许多形成于所述深N型井中的P型井,形成于每个所述P型井中的N+区,形成于所述深N型井中的P+区,其中所述深N型井具有大约等于由红光产生在硅片中的空穴电子对深度的第一深度,而每个所述P型井具有一个大约等于由绿光产生在硅片中的空穴电子对深度的第二深度;复位每个所述P型井和所述基片之间的电位为一个第一电压并复位所述深N型井和所述基片之间的电位为一个第二电压、在每个所述P型井和所述深N型井之间的PN结处积累电荷、确定每个所述P型井和所述深N型井之间的电位,然后,电隔离所述P型井和所述深N型井,其中,每个所述P型井和所述深N型井之间的电位在每个所述P型井处提供一个红/绿信号;复位每个所述P型井和所述基片之间的电位为所述第一电压并复位所述深N型井和所述基片之间的电位为所述第二电压、在每个所述P型井和所述深N型井之间的PN结处积累电荷、并且确定每个所述P型井和所述深N型井之间的电位,然后,电隔离所述P型井并将所述深N型井维持在一个第三电压,其中,每个所述P型井和所述深N型井之间的电位在每个所述P型井处提供一个绿信号;以及通过从每个所述P型井处的所述红/绿信号中减去在那个所述P型井处所述绿信号来确定每个所述P型井处的红信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于戴洛格半导体公司,未经戴洛格半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410079428.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的