[发明专利]使用T型图案来形成较小接触孔的方法

摘要

本发明提供一种使用T型图案来形成较小接触孔的方法，在一个半导体衬底上形成一个氧化层、一个硬掩膜层，及一个化学增强型光刻胶层，利用一种含氨的气氛使化学增强型光刻胶顶端的氢离子被氨离子捕捉，从而使得化学增强型光刻胶层在图案化后，呈现T型图案，进而使得在对氧化层进行接触孔刻蚀时，能得到一个尺寸较已知工艺小的接触孔。

主权项

1.一种使用T型图案来形成较小接触孔的方法，其包括下列步骤：提供一个半导体衬底；在该半导体衬底上依序形成一个氧化层，一个硬掩膜层，以及一个化学增强型光刻胶层；以一个掩膜版为掩膜，对该化学增强型光刻胶层进行曝光；对该半导体衬底表面通入一种含氨的气体，使氨离子捕捉该化学增强型光刻胶层顶端的氢离子，然后对该化学增强型光刻胶层进行烘烤、显影，以形成一个T型图案化光刻胶层；以该T型图案化光刻胶层为掩膜，对该硬掩膜层进行刻蚀，然后，移除该T型图案化光刻层；以及以该硬掩膜层为掩膜，对该氧化层进行一次刻蚀工艺，然后移除该硬掩膜层，以形成一个较小的接触孔。