[发明专利]用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法

摘要

所公开的是一种CMP浆料，其所含第一种胶粒的初级粒子直径范围从5nm到30nm并且平均粒径为d1，掺入的第一种胶粒的重量为w1，第二种胶粒的初级粒子直径比第一种的大并且其平均粒径为d2，第二种胶粒是用与第一种胶粒相同的材料制成，掺入的重量为w2，其中所选择的d1、d2、w1、w2应同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.97 (B)；3≤d2/d1≤5 (C)；0.7≤w1/(w1+w2) ≤0.9 (D)。

主权项

1、CMP浆料，该浆料含有：初级粒子直径范围为5nm到30nm而且平均粒径为d1的第一种胶粒，第一种胶粒掺入的重量为w1；及初级粒子直径比第一种大而且平均粒径为d2的第二种胶粒，第二种胶粒用与第一种胶粒相同的材料制成，而且其掺入的重量为w2；其中使d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)0.7≤w1/(w1+w2)0.97 (B)3≤d2/d1≤5 (C)0.7≤w1/(w1+w2)0.9 (D)