[发明专利]磁随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200410010486.3 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1637927A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 朴祥珍;金泰完;朴玩濬;李将银 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。该MRAM包括开关器件和与该开关器件相连的MTJ单元，其特点是包括一被钉扎膜，该被钉扎膜包括一金属膜及围绕该金属膜的一磁性膜。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM，其包括开关器件和与该开关器件连接的MTJ单元，该MTJ单元包含一被钉扎膜，该被钉扎膜包括金属膜和围绕该金属膜的磁性膜。
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