[发明专利]高分子型硫杂蒽酮光引发剂及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200310109362.6 申请日: 2003-12-12
公开(公告)号: CN1546551A 公开(公告)日: 2004-11-17
发明(设计)人: 姜学松;印杰 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C08G67/00 分类号: C08G67/00;G03F7/028
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了右式所示的一类新型高分子型硫杂蒽酮光引发剂及其制备方法。先以硫代水杨酸、二酚、环氧氯丙烷为原料合成含双环氧基团的硫杂蒽酮,再将硫杂蒽酮和二仲胺单体溶于溶剂中,升温聚合几小时,得到高分子型硫杂蒽酮光引发剂。该光引发剂主链上同时含有光引发剂硫杂蒽酮和助引发剂胺,具有较高的光引发性能,在涂料、微电子及光学等领域有着广泛应用前景。
搜索关键词: 高分子 型硫杂蒽酮光 引发 及其 制备 方法
【主权项】:
1.高分子型硫杂蒽酮光引发剂,其特征在于高分子型硫杂蒽酮光引发剂的重复结构单元如下式所示:其中,聚合度n=1-100,R1分别独立选自C2-C18的烷基,R2分别独立选自C1-C18的烷基,R3和R4分别独立选自氢,卤素,C1-C18的烷基,烷氧基。
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