[实用新型]一种具有AlAs氧化层的半导体型材无效
| 申请号： | 03245512.7 | 申请日： | 2003-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN2653692Y | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 周均铭;陈弘;王文冲;贾海强;黄绮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/314;H01S5/00;B32B5/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有AlAs氧化层的半导体型材，包括一常规半导体衬底、在其上依次采用公知的外延手段外延的缓冲层、AlAs氧化层和盖帽层，其特征在于：所述的AlAs氧化层为三明治结构，其包括在缓冲层上外延的一底层，在此底层上外延一氧化中间层，和在此氧化中间层上外延一顶层。该结构的AlAs氧化层可以有效地增加AlAs氧化层的氧化速率，提高氧化深度对时间关系的线性度，减少AlAs厚度对氧化速率的影响；另外，此结构的AlAs氧化层还具有优异的热稳定性，可应用于表面发射激光器结构氧化精确控制和制作更大尺寸的器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 alas 氧化 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种具有AlAs氧化层的半导体型材，包括一常规半导体衬底、在其上依次采用公知的外延手段外延的缓冲层、AlAs氧化层和盖帽层，其特征在于：所述的AlAs氧化层为三明治结构，其包括在缓冲层上外延的一底层，在此底层上外延一氧化中间层，和在此氧化中间层上外延一顶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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