[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 02143342.9 | 申请日： | 2002-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1411048A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 園田真久;田弘昭;坂上栄人;金高秀海;松崎憲二;松本孝典 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种在具有STI的半导体装置中使用的沟槽内壁的平面和平面边界及边、角或者角落的交界等的周边部分上没有应力集中，在交界部分上结晶缺陷难以发生的半导体装置。本发明半导体装置100，包含具有形成元件的基板表面12的半导体基板10；电气分离在基板表面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽60；其中，位于沟槽侧面62和底面64间的交界部分80，被形成具有80nm以上的曲率半径的曲面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：具有形成元件的基板表面的半导体基板；具有与上述基板表面相对的相对面，用栅绝缘膜和上述半导体基板电气绝缘的栅电极；以及形成贯通上述栅电极到达上述半导体基板的，电气分离在上述基板表面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽；其中，位于上述沟槽的侧面和上述沟槽的底面之间的交界部分，形成具有80nm以上曲率半径的曲面形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
