[发明专利]可变电容及其制造方法有效
| 申请号： | 02141151.4 | 申请日： | 2002-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1442903A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿;陈立哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/70;H01G7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种可变电容，由在基底中的第一型式的埋层、第一型式的阱区、第二型式的掺杂区及导体层所构成。第一型式的阱区位于基底中，且第一型式的阱区具有凹陷。第一型式的埋层位于第一型式的阱区下方的基底中，且第一型式的埋层与第一型式的阱区相连接。第二型式的掺杂区位于第一型式的阱区的凹陷底部。导体层位于第一型式的埋层之上，且导体层与第一型式的埋层相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 可变电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可变电容，包括：一基底；一第一型式的阱区，位于该基底中，且该第一型式的阱区具有一凹陷；一第一型式的埋层，位于该第一型式的阱区下方的该基底中，且该第一型式的埋层与该第一型式的阱区相连接；一第二型式的掺杂区，位于该第一型式的阱区的该凹陷底部；一导体层，位于该第一型式的埋层之上，且该导体层与该第一型式的埋层相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
