[发明专利]ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底制备方法及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法无效

申请号：	02113086.8	申请日：	2002-05-31
公开（公告）号：	CN1399308A	公开（公告）日：	2003-02-26
发明（设计）人：	张荣;毕朝霞;王栩生;修向前;顾书林;沈波;施毅;刘治国;郑有炓;江若琏;朱顺明;韩平;胡立群	申请（专利权）人：	南京大学
主分类号：	H01L21/205	分类号：	H01L21/205;H01L21/365
代理公司：	南京知识律师事务所	代理人：	陈建和
地址：	210093***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
搜索关键词：	znal2o4 al2o3 复合衬底制备方法 gan 薄膜生长
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【主权项】：

1、ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备方法及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，其特征是先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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