[发明专利]波像差测定装置,波像差测定方法,曝光装置及微型器件的制造方法无效
| 申请号： | 01808047.2 | 申请日： | 2001-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1423831A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 水野恭志 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G01B11/00;G01M11/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在测定投影光学系统(PL)的波像差之前,利用AF传感器(30)检测出在规定面上成像的测试中间掩模Rt的图样的像的位置。基于该检测结果,调整波像差测定单元(35)的入射面(36a)的位置,调整图样的像相对于入射面(36a)的位置。在这种调整之后,利用波像差测定单元(35)检测出经由投影光学系统(PL)成像的图样的像,基于该检测结果,利用波像差检测部(41)求出投影光学系统(PL)的波像差。 | ||
| 搜索关键词： | 波像差 测定 装置 方法 曝光 微型 器件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种波像差测定装置，在配备有检测出经由被检测光学系统在规定面上成像的图样的像的图样像检测机构，以及基于被检测出来的前述图样的像求出前述被检测光学系统的波像差信息的波像差运算机构的波像差测定装置中，其特征为，配备有检测前述图样的像相对于前述规定面的成像状态的成像状态检测机构，以及，根据所检测出来的前述成像状态调整前述规定面及前述图样像的相对位置的调整机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
