[发明专利]用于半导体生产设备的净化气无效
| 申请号： | 01802037.2 | 申请日： | 2001-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1386299A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 大野博基;大井敏夫;吉田修二;大平学;田中耕太郎 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/44;B08B7/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气,通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体;(2)用于半导体生产设备的净化气,该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到;(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法;(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气,可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 生产 设备 净化 | ||
【主权项】：
1.用于去除半导体生产设备中的沉积物的净化气，它含有惰性气体和选自SF6、F2、NF3中的至少两种，但排除惰性气体与F2和NF3的组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
