[发明专利]一种超导薄膜谐振器无效
| 申请号： | 01140224.5 | 申请日： | 2001-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1352469A | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | 谢飞翔;杨涛;马平;聂瑞娟;刘乐园;王福仁;王守证;王世光;戴远东 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00;H03H9/00;H03H1/00 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超导薄膜谐振器,属于射频超导量子干涉仪(rfSQUID)制造和应用领域。本发明的超导薄膜谐振器,由镀在单晶衬底上的非闭合的超导薄膜外环构成外环开口处的两端是梳齿式结构,两端的梳齿相互交叉,利用梳齿间的耦合电场构成电容;外环的其余部分构成电感。外环内部有超导薄膜,用作磁通聚焦器。本发明采用的梳齿式结构,可以通过增减梳齿数目和长度来调节谐振频率。本发明应用在超导量子干涉仪制造和应用领域中,可以简化SQUID探头制造工艺流程,提高SQUID探头参数的一致性,提高成品率。在应用中由于能保持较高的谐振频率和磁聚焦效率,所以SQUID系统可以获得高的磁通灵敏度和磁场灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 薄膜 谐振器 | ||
【主权项】：
1.一种超导薄膜谐振器，其特征是由镀在单晶衬底上的非闭合的超导薄膜外环构成；外环开口处的两端是梳齿式结构，两端的梳齿相互交叉，利用梳齿间的耦合电场构成电容，梳齿的数目和长度根据所需电容确定；外环的其余部分构成电感。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01140224.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 从低于室温到高于室温的铁电超导体-202080034542.4
- M·H·B·苏萨索雷斯德奥利维拉布拉加 - 波尔图大学
- 2020-04-06 - 2022-05-03 - H01L39/00
- 本发明涉及一种包含铁电体的超导体，其在从低于室温到高于室温的温度下具有极高的介电常数，其中铁电体的偶极子的自发动态排列在表面处诱发超导性。使用该创新性超导体以及应用随后捕获产生的电流的现象，铁电体可被施加于两个相同的导体或半导体之间、两个相异的导体或半导体之间、或者作为导体的绝缘体芯或只是与空气接触。因此，本发明适用于在以下领域中能够无损耗地传输电力的应用：能量、捕集、存储、传感器、晶体管、计算机的部件、光伏电池或面板、风力涡轮机、SQUID、MRI、质谱仪、粒子加速器、智能电网、电力传输、变压器、电力存储装置和/或电动机。
- 高温超导结构体-202080012672.8
- P·布罗伊宁格-维迈;B·C·霍洛韦;V·Z·克莱森;S·A·沃夫;G·A·萨瓦兹基;C·海尔 - 深度科学有限责任公司
- 2020-02-12 - 2021-09-24 - H01L39/00
- 超导体器件包括低维材料，该低维材料的临界温度高于对应于该低维材料的块体形式的临界温度。该低维材料可包括该低维材料的形状和结构的变体。该超导体器件可包括诸如纳米带、纳米管或螺旋结构的低维材料的各种构造排列。该超导体器件可包括连接到低维材料的诸如氢的官能团。该超导体器件可包括位于低维材料附近的金属簇。该超导体器件可包括单层、双层或多层的低维材料。
- 窄带吸收超导纳米线单光子探测器-201510593967.X
- 李浩;尤立星;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2015-09-17 - 2019-12-31 - H01L39/00
- 本发明提供一种窄带吸收超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；多层薄膜滤波器，位于所述高反膜的表面，且所述多层薄膜滤波器的底层薄膜层包覆所述超导纳米线。本发明的窄带吸收超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底制备超导纳米线，通过正面耦合可以将光直接照射到超导纳米线上，可以避免光学腔体结构超导纳米线单光子探测器件中远距离聚焦的问题，进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，且对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，纳米线上方的多层薄膜滤波器具有非目标波长滤波功能，可过滤入射光中的杂散光，进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数。
- 由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备-201280044226.0
- D·J·吉尔伯特;Y·E·施泰恩;M·J·史密斯;J·P·哈纳;P·格林兰德;B·考帕;F·诺斯 - 阿姆巴托雷股份有限公司
- 2012-03-30 - 2019-11-26 - H01L39/00
- 描述了电气、机械、计算和/或其它设备，其包括由极低电阻(ELR)材料形成的组件，包括但不限于改性ELR材料、层压ELR材料和新型ELR材料。
- 抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器-201510593942.X
- 李浩;尤立星;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2015-09-17 - 2019-05-10 - H01L39/00
- 本发明提供一种抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；介质层，位于所述高反膜表面，且包覆所述超导纳米线。本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器在高反膜上加工制备超导纳米线，该器件结构可以通过正面光耦合将光直接照射到超导纳米线上，可以避免光学腔体结构中远距离聚焦的问题，进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，且对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器通过在高反膜表面生长包覆超导纳米线的高折射率介质层，可以降低器件的偏振相关性。
- 高性能超导体带材的质量控制-201780053387.9
- 戈兰·马吉克;文卡特·塞尔瓦马尼卡姆 - 休斯敦系统大学
- 2017-08-29 - 2019-04-26 - H01L39/00
- 本发明公开了一种超导体带材及其制造、测量、监视和控制方法。实施例针对于一种超导体带材，其包括覆盖在缓冲层上方的超导体膜，所述缓冲层覆盖在衬底上方。在一个实施例中，超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。在另一个实施例中，超导体膜包括BaMO3，其中M＝Zr、Sn、Ta、Nb、Hf或Ce，并且具有沿着从超导体膜的(001)峰的轴起在60°至90°之间的轴延伸的BaMO3的(101)峰。这些和其它实施例实现了良好对齐的纳米柱状缺陷，并且因此实现高提升因子，这可以形成带材在例如高磁场中的优异临界电流性能。
- 一种量子干涉器件结构及其制备方法-201610404295.8
- 王浩敏;谢红;李蕾;王慧山;杨鹏;谢晓明;江绵恒 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2016-06-08 - 2018-09-28 - H01L39/00
- 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。
- 高温超导体-201580071299.2
- R·加特 - 量子设计材料有限公司
- 2015-10-27 - 2017-08-29 - H01L39/00
- 本公开涉及具有式(I)化合物LnDm(BxB'1‑x)r(ZtZ'1‑t)qMpAy(I)，其中，n、m、x、r、t、q、p、L、D、B、B'、Z、Z'、M和A均在说明书中做了定义。这些化合物在高温下可展示出超导性。
- 一种电阻率近似为零的虚拟超导体-201410779788.0
- 叶磊 - 厦门兰智科技有限公司
- 2014-12-17 - 2016-07-13 - H01L39/00
- 本发明公开一种电阻率近似为零的虚拟超导体，包括半导体、绝缘隔热层及外部连接导线；半导体沿宏观电流方向实施故意非均匀掺杂，形成不均匀的半导体属性分布；半导体端部分别连接外部连接导线作为电流的引入端及引出端；绝缘隔热层包覆在半导体上及包覆在半导体与外部连接导线连接处，半导体与外部环境形成热隔离。本发明利用非均匀掺杂半导体吸热发电，输出电压增量和电功率增量，实现对电阻焦耳热消耗电压和电功率的补偿。
- 一种超导分形纳米线单光子探测器及其制备方法-201510788584.8
- 胡小龙;顾超;程宇豪;朱晓田;刘海毅 - 天津大学
- 2015-11-17 - 2016-03-02 - H01L39/00
- 本发明公开了一种超导分形纳米线单光子探测器及其制备方法，所述单光子探测器包括：衬底、纳米线、纳米天线、氢硅倍半环氧乙烷层以及银反射层，所述纳米线以分形的形式排布，用于实现纳米线对两个偏振态光的吸收偏振不敏感；在纳米线的基础上添加阵列式纳米天线。所述制备方法包括：用磁控溅射的方法在衬底上溅射一层超导材料；利用光刻与电子束蒸镀相结合的方式制备电极；用电子束曝光和反应离子束刻蚀相配合的方式制备分形纳米线；利用电子束曝光与电子束蒸镀相结合的方式制备纳米天线。本发明减小了超导纳米线单光子探测器的偏振敏感度，使得偏振敏感度小于0.02，两个正交偏振态吸收效率均达到80％，宽谱吸收效率高于70％，且适用于各种超导材料。
- 高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器-201510844499.9
- 朱广浩;郑帆;金彪兵;秦得凤;康琳;张蜡宝;贾小氢;吴培亨 - 南京大学
- 2015-11-26 - 2016-02-24 - H01L39/00
- 本发明公开了一种高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；NbN纳米线，呈周期性蜿蜒结构结合于所述下光学腔体内部；上光学腔体，结合于所述下光学腔体表面；金属纳米线，呈周期性结构结合于所述下光学腔体与上光学腔体之间；全反镜，结合于所述上光学腔体表面。本发明解决现有技术中超导纳米线单光子探测器光吸收率偏振消光比不够高且效率较低的问题。
- 偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器-201520353739.0
- 朱广浩;秦得凤;金彪兵;郑帆;康琳;张蜡宝;贾小氢;吴培亨 - 南京大学
- 2015-05-27 - 2015-09-09 - H01L39/00
- 本实用新型公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；介质包裹层，结合于所述下光学腔体表面；NbN纳米线，结合于所述介质包裹层内部；上光学腔体，结合于所述介质包裹层表面；介质纳米线，结合于所述介质包裹层与上光学腔体之间；全反镜，结合于所述上光学腔体表面。本实用新型解决现有技术中超导纳米线单光子探测器对光偏振方向敏感的问题。
- 偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器-201510278258.2
- 朱广浩;秦得凤;金彪兵;郑帆;康琳;张蜡宝;贾小氢;吴培亨 - 南京大学
- 2015-05-27 - 2015-08-12 - H01L39/00
- 本发明公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；介质包裹层，结合于所述下光学腔体表面；NbN纳米线，结合于所述介质包裹层内部；上光学腔体，结合于所述介质包裹层表面；介质纳米线，结合于所述介质包裹层与上光学腔体之间；全反镜，结合于所述上光学腔体表面。本发明解决现有技术中超导纳米线单光子探测器对光偏振方向敏感的问题。
- 一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法-201210167983.9
- 尤立星;刘登宽;陈思井;杨晓燕;谢晓明;江绵恒 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2012-05-25 - 2012-09-26 - H01L39/00
- 本发明提供一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法，该振荡器包括一共面波导，以及位于所述共面波导中心导体带和接地导体之间的超导纳米线，该振荡器的实现原理是基于超薄超导材料的纳米线结构的自热弛豫效应特性。本发明制备的振荡器工艺结构简单，和超导约瑟夫逊振荡器相比，不需要使用多层超导薄膜，不需要制备结构复杂且制备难度较高的超导约瑟夫逊结。同时，其控制简单，不需要外加磁场，仅需控制器件的偏置电压即可实现高频振荡。该振荡器原理适用于所有类型超导材料，包括各种高温超导材料和低温超导材料。
- 实现超导电性和超导热性的方法-200980158962.7
- 弗亚切斯拉夫.A.弗多文科夫 - “泰科诺普里泽”有限公司
- 2009-05-26 - 2012-04-11 - H01L39/00
- 本申请涉及材料的电学、电物理和导热，涉及材料在接近室温和更高温度的零电阻现象也就是超导电和零热阻也就是超导热。内容是：在非简并或弱简并的半导体材料在半绝缘或电介质的衬底上的这样的材料层的表面上或体内设置电极以形成到材料的整流接触。电极之间的距离(D)被选择为远小于由它们的接触电势差引起的电场穿透到材料中的深度(L)(D＜＜L)。电极之间的最小距离DMIN＝20纳米，电极之间的最大距离DMAX＝30微米。在电极之间形成具有宽度D的间隙之前、之后或期间，电子振动中心(EVC)被输入到材料中，且具有从2·1012cm-3到6·1017cm-3的浓度(N)。使材料的温度到超导电转变温度(Th)或更高。技术结果：可以在高于Th的温度实现超导电(超导)和零热阻也就是超导热的所述效果以及可以调整Th的值。
- 超导元件以及相关的制备方法-201010208276.0
- G·琼基 - 艾迪森股份公司
- 2010-06-18 - 2010-12-29 - H01L39/00
- 本发明描述了一种超导元件以及一种用于制备所述元件的方法，所述超导元件包括由非超导材料制成的刚性支座，所述支座包括由包含超导材料的凹槽形成的至少一个超导轨道，所述超导材料的密度等于其理论密度值的至少85％。本发明还涉及超导元件的可能用途，并且还涉及含有所述超导元件的超导装置。
- 混合材料的RF电路和元件-200880000109.8
- 柳江平 - 香港应用科技研究院有限公司
- 2008-09-11 - 2009-09-23 - H01L39/00
- 一个射频(RF)元件，包括一种非超导材料以及一种超导材料，其中超导材料位于RF元件的一个或多个区域，使得具有超导材料的区域比具有非超导材料的区域传导更大的电流密度。
- 具有密度特性的超导制品-200680005507.X
- V·塞尔瓦曼尼克姆;D·W·黑兹顿;Y·乔 - 美国超能公司
- 2006-02-23 - 2008-02-13 - H01L39/00
- 揭示一种超导制品，该制品具有基片，覆盖在该基片上面的缓冲层和覆盖在缓冲层上面的超导层。根据实施方式，该制品具有低密度特性，与作为整体的制品和/或制品的各层相关。该制品可包括长导体，卷绕的长导体形式，例如，结合了这种线圈的设备。
- 半导体组件-200420118309.2
- 余振华;曾鸿辉;胡正明;王昭雄 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2004-10-09 - 2006-04-12 - H01L39/00
- 本实用新型是揭示一种半导体组件。其利用一高温超导(High Tempera ture Surperconductor，HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导材料覆盖层于导线上。本实用新型亦揭示将高温超导体填充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联机。
- 一种交流偏置的超导场效应器件-97100176.6
- 陈烈;杨涛;赵忠贤;赵伯儒;徐丽雯 - 中国科学院物理研究所
- 1997-01-16 - 2003-06-04 -
- 本发明涉及超导电子学技术，特别是涉及一种交流偏置超导场效应器件。本发明的目的在于使用厚的外延超导薄膜来制备在77K以上温区工作的交流偏置场效应器件，和为了降低该器件的低频噪声，提高其它性能。提供一种在钛酸锶基片上溅射一层镱钡铜氧薄膜，光刻成桥型，再镀电介质层时留下电极点，最后镀金层并光刻四个方形电极和一个T型上门电极。T型门电极与镱钡铜氧薄膜桥交叉并绝缘。在金门电极与基片下的铜箔之间加交流偏置形成交流偏置场效应器件。该器件场效T应显著，制备工艺简单，并具有可在液氮温区工作等优点。
- 具有冷却和正常操作模式的低温冷却系统-02107362.7
- R·A·阿克曼;E·T·拉斯卡里斯;Y·王;B·E·B·戈特 - 通用电气公司
- 2002-03-15 - 2002-10-23 -
- 一种应用于超导电机(12)的低温冷却系统(10),包括组成第一回路(16)的第一组元件(14),其可使致冷剂流沿第一回路(16)流入和流出超导电机(12),并可在冷却模式下进行操作,以将致冷剂及超导电机(12)冷却到正常操作温度;组成第二回路(20)的第二组元件(18),其可使致冷剂流沿第二回路(20)流入和流出所述超导电机(12),并可在正常模式下进行操作,以将致冷剂及超导电机(12)保持在正常操作温度。
- 一种超导薄膜谐振器-01140224.5
- 谢飞翔;杨涛;马平;聂瑞娟;刘乐园;王福仁;王守证;王世光;戴远东 - 北京大学
- 2001-12-06 - 2002-06-05 -
- 本发明公开了一种超导薄膜谐振器,属于射频超导量子干涉仪(rfSQUID)制造和应用领域。本发明的超导薄膜谐振器,由镀在单晶衬底上的非闭合的超导薄膜外环构成外环开口处的两端是梳齿式结构,两端的梳齿相互交叉,利用梳齿间的耦合电场构成电容;外环的其余部分构成电感。外环内部有超导薄膜,用作磁通聚焦器。本发明采用的梳齿式结构,可以通过增减梳齿数目和长度来调节谐振频率。本发明应用在超导量子干涉仪制造和应用领域中,可以简化SQUID探头制造工艺流程,提高SQUID探头参数的一致性,提高成品率。在应用中由于能保持较高的谐振频率和磁聚焦效率,所以SQUID系统可以获得高的磁通灵敏度和磁场灵敏度。
- 限流器-98125827.1
- 斯蒂芬·费希尔 - 西门子公司
- 1998-11-11 - 1999-06-02 -
- 本发明涉及一种特别是低压和中压技术的开关网络的供配电用限流器。该限流器是由一个其核心是一种适于高温超导层沉积的衬底材料(SK)的导电片(PE)构成的,通过一个分流层(SS)封闭所述衬底材料的一侧或两侧,所述衬底材料从外面被一个整体型绝热表面层(OS)包围着,所述限流器完全被作为冷却剂的液氮(NF)包围着。这样的电阻型限流器尤其是在低压和中压技术的开关网络中被用于供配电。
- 表面带有覆盖层的超导体陶瓷-88106291.X
- 山崎舜平 - 株式会社半导体能源研究所
- 1988-08-25 - 1994-01-26 -
- 具有高Tc的表面带有覆盖层的超导体陶瓷，其超导材料可由化学计量式(A1-xBx)yCuzOw和(A1-xBx)yCuzOwXv表示，式中符号意义见说明书。其制备方法包括在烧结之前将陶瓷各组分与一种醇或氟利昂混合。醇或氟利昂的作用是在烧结时还原陶瓷，因而可将过量的氧由超导结构中除去。然后将超导体陶瓷用有机树脂薄膜涂覆，用于避免空气的作用。
- 采用陶瓷超导元件的逻辑器件-89104039.0
- 野岛秀雄;片冈照荣;桥爪信郎;土本修平;森末道忠 - 夏普公司;森末道忠
- 1989-06-16 - 1993-04-21 -
- 一逻辑器件包括一具磁阻特性的陶瓷超导元件(4)和三个毗邻(4)配置的电极(12、14、16)，其中一个电极加电流时，元件(4)上通常总加有大于一阈值磁场(H0)的磁场，电极(14、16)则用以增减磁场。一存储器件包括一超导环路(46、48)和一电极(44)，超导环路的至少一部分由具有晶粒间界的陶瓷超导元件(46)构成，电极(44)设在元件(46)附近，使流经元件(46)外的所述环路的一部份(48)电流可由控制流经电极(44)的电流产生的磁场使其被捕获在所述环路中。
- 超导陶瓷图案及其制造方法-88102320
- 山崎舜平 - 株式会社半导体能源研究所
- 1988-04-15 - 1988-11-02 -
- 描述了一种超导氧化物陶瓷图案。该图案由高Tc超导区和在液氮温度下呈电阻性的低Tc超导区组成，而所述高Tc区在该温度下具有超导性。将杂质，例如Si掺入所述低Tc区，然后使它经受热处理，以使所述杂质氧化。
- 专利分类
