[发明专利]分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法

摘要

一种只读存储器的制造方法包括对第二介电层与第一导体层进行第一光罩微影蚀刻进而定义一选择栅,对第三介电层进行非等向性蚀刻以于选择栅上形成侧壁结构,形成并对第二导体层进行非等向性蚀刻,形成并对间隙壁结构进行第二光罩微影蚀刻以完成浮置栅,形成一第四介电层后进行离子布植,进而形成一源极区域及一汲极区域,形成并对第三导体层进行第三光罩微影蚀刻以完成控制栅。这种内存单元可具有较小的程序电压及较组件尺寸。

主权项

1.一种分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一基板；于所述基板上依序形成一第一介电层、一第一导体层以及一第二介电层；对所述第二介电层与第一导体层进行一第一光罩微影蚀刻制程，进而定义一选择栅；于所述第一介电层、所述第一导体层以及所述第二介电层上形成一第三介电层；对所述第三介电层进行一非等向性蚀刻，用以于所述选择栅上形成一侧壁结构；除去所述第一介电层后再于所述基板上形成一隧穿介电层；于所述隧穿介电层、所述选择栅以及所述侧壁结构上形成一第二导体层；对所述第二导体层进行一非等向性蚀刻，用于所述侧壁结构外侧形成一间隙壁结构；对所述间隙壁结构进行一第二光罩微影蚀刻制程，用以完成一浮置栅，所述浮置栅与所述选择栅间以所述侧壁结构相隔；于所述隧穿介电层、所述选择栅、所述侧壁结构以及所述浮置栅上形成一第四介电层后进行一离子布植制程，进而形成一源极区域以及一汲极区域；于所述第四介电层上形成一第三导体层；以及对所述第三导体层进行一第三光罩微影蚀刻制程，用以完成一控制栅，所述控制栅与所述浮置栅间以所述第四介电层相隔。