[发明专利]半导体存储装置的驱动方法

摘要

一种半导体存储装置的驱动方法,所述半导体存储装置包括强电介质电容器30、串联连接强电介质电容器30的读出FET10、以及并联连接强电介质电容器30的选择FET20。在将数据存入强电介质电容器30之后,消除在强电介质电容器30的上电极31和下电极32之间产生的感应电位差。当读出数据时,将读出电压外加到下电极和衬底之间,使利用相对较高的第1存入电压进行存入时的栅极电位,低于利用相对较低的第2存入电压进行存入时的栅极电位。提高具有利用强电介质膜极化偏位来存储多值数据的强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。

主权项

1.一种半导体存储装置的驱动方法，是具有利用强电介质膜极化偏位来存储多值数据的强电介质电容器，和形成在衬底上，并且栅电极连接所述强电介质电容器的上电极以及下电极中一方电极，并且检测所述强电介质膜极化偏位的读出场效应型晶体管的半导体存储装置的驱动方法；其特征在于：包括：通过把相对较高的第1存入电压或相对较低的第2存入电压外加到所述一方电极和所述强电介质电容器的上电极以及下电极中的另一方电极之间，来把所述多值数据存入所述强电介质电容器的第1工序；消除在所述一方电极和所述另一方电极之间产生的感应电位差的第2工序；在所述另一方电极和所述衬底之间外加读出电压，通过检测所述强电介质膜的极化偏位来读出所述多值数据的第3工序；所述读出电压具有与所述第1存入电压相同的极性，当外加所述读出电压时，将其大小设定为：能够使利用所述第1存入电压进行存入时，在所述栅电极和所述衬底之间因感应而产生的第1电位差，小于利用所述第2存入电压进行存入时，在所述栅电极和所述衬底之间因感应而产生的第2电位差。