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[发明专利]一种薄膜处理方法-CN202111420181.X在审
发明人：莫新娣;张建新;严怡然;敖资通;杨帆;马松 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种薄膜处理方法，涉及显示技术领域，该方法包括以下步骤：提供以金属氧化物为电子传输材料的电子传输膜层；在氧含量为25～40ppm的第一惰性气体环境中利用脉冲光对电子传输膜层进行退火处理。本申请提供的薄膜处理方法在特定氧含量的惰性气体环境下采用脉冲光进行电子传输层的退火处理，以改善电子传输层中电荷注入不平衡的问题。
一种薄膜处理方法

[发明专利]纳米粒子及包括其的组合物、发光二极管及显示装置-CN202111414618.9在审
发明人：马松;严怡然;敖资通;杨帆;莫新娣 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K85/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米粒子，包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。本申请的纳米粒子中的二苯基膦配体与量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性，进而有效地提升包括所述纳米粒子的发光二极管的效率及寿命。另，本申请还公开了一种包括所述纳米粒子的组合物、包括所述纳米粒子的发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。
纳米粒子包括组合发光二极管显示装置

[发明专利]电致发光器件及其制备方法、光电装置-CN202111402979.1在审
发明人：敖资通;严怡然;洪佳婷;杨帆;莫新娣;马松 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：本申请公开了一种电致发光器件及其制备方法、光电装置，通过在至少两层功能层的材料中掺有光交联剂，两层所述功能层为相邻设置，光交联剂一方面可以与各功能层材料通过化学键的方式结合，另一方面，光交联剂之间还可以形成交联结构，使相邻的各功能层之间贴合的更为牢固，避免柔性器件在使用过程中出现的膜层开裂以及膜层整体脱落的情况，从而改善器件容易失效的问题。
电致发光器件及其制备方法光电装置

[实用新型]温度调节装置、蒸发源及用于量子点发光器件的蒸镀装置-CN202223253265.1有效
发明人：张成杰 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司;广东聚华新型显示研究院
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本申请提供一种温度调节装置、蒸发源及用于量子点发光器件的蒸镀装置。通过在壳体的表面开设用于放置蒸发组件的容置槽，且壳体的内腔环绕蒸发组件布置，使得当蒸发组件放置在容置槽中时，蒸发组件可以快速与壳体的内腔中的介质进行热交换。另在壳体上开设抽气口和换热口，通过抽真空组件抽取内腔中的气体，使得内腔中保持真空状态，即在蒸发组件的四周形成了真空保温层，大幅减少了热量散失，其有利于蒸发组件保持自身温度以提高蒸发组件的蒸镀效率；而通过设置送风组件向内腔中送入大量气体，使得蒸发组件可以与内腔中的气体进行热交换以快速降温，减少了维护等待时间。
温度调节装置蒸发用于量子发光器件

[实用新型]疏通组件及蒸镀装置-CN202223137969.2有效
发明人：张成杰 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司;广东聚华新型显示研究院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请提供一种疏通组件及蒸镀装置。通过为线性蒸发源的喷嘴设置清除棒，其中清除棒的进气口与气源模块的输气口连通，使得气源模块可以向清除棒输送气体并从出气口排出，由于出气口靠近喷嘴设置，使得清除棒吹出的气流可以快速清除喷嘴内凝结堵塞的蒸镀材料；另外，驱动模块可以驱动清除棒运动至抵近喷嘴或伸入喷嘴内，使得出气口吹出的绝大部分或全部气流会进入喷嘴，有效避免了出气口的附近的气流耗散现象，增大了进入喷嘴内的气流量，还提高了进入到喷嘴内的气流速度，从而提高了喷嘴的疏通效率；此外，当喷嘴畅通时，驱动模块还可以驱动清除棒远离喷嘴，有效避免了清除棒对喷嘴的遮挡，提高了线性蒸发源的蒸镀效率。
疏通组件装置

[实用新型]原子力显微镜以及材料表面检测系统-CN202320334336.6有效
发明人：洪佳婷;敖资通 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01Q60/38 文献下载
摘要：本申请提供一种原子力显微镜以及材料表面检测系统，原子力显微镜包括：原子力显微组件，原子力显微组件具有测量探针；成像组件，成像组件包括第一摄像镜头以及第二摄像镜头，第一摄像镜头和第二摄像镜头分别位于测量探针相邻的两侧；其中，第一摄像镜头用于获取测量探针一侧的第一轮廓像，第二摄像镜头用于获取测量探针另一侧的第二轮廓像，以结合第一轮廓像和第二轮廓像判断测量探针是否异常。本申请可以结合第一轮廓像和第二轮廓像判断测量探针是否异常(例如针尖边钝或者被污染)，避免测试过程由于针尖被污染或针尖变钝而导致AFM图像准确性降低的现象。
原子显微镜以及材料表面检测系统

[发明专利]QLED器件及其制备方法、显示面板-CN202111346169.9在审
发明人：黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种QLED器件及其制备方法、显示面板。所述QLED器件包括依次设置的阴极层、量子点发光层、空穴复合层和阳极层；其中，所述空穴复合层包括空穴功能层以及设置于所述空穴功能层表面上的芳香族氨基酸膜层。本申请QLED器件在空穴传输端引入芳香族氨基酸膜层形成空穴复合层，能有效地提升薄膜的成膜性以及大幅降低外界光源对QLED器件的破坏，减少器件的漏电流，提升器件的性能与寿命。
qled 器件及其制备方法显示面板

[发明专利]复合物、复合物的制备方法、电致发光器件及显示装置-CN202111346703.6在审
发明人：王劲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合物、复合物的制备方法、电致发光器件及显示装置，所述复合物包括P型半导体材料和N型半导体材料，所述P型半导体材料与所述N型半导体材料通过共价化学键连接；所述P型半导体材料包括黑磷纳米片；所述N型半导体材料包括组分A和组分B，其中，组分A为无机纳米粒子，组分B为富勒烯和/或富勒烯衍生物，所述复合物具有稳定性高、光电流响应速率快等优点，能够用于制备电致发光器件的电荷产生层，并改变了依赖真空沉积法制备电荷产生层的传统模式，适用于制备大尺寸的电致发光器件，有利于降低制造成本和工作电压，并且避免高温对发光层的损坏。
复合物制备方法电致发光器件显示装置

[发明专利]纳米颗粒及纳米薄膜、发光二极管和显示装置-CN202111408087.2在审
发明人：江华 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米颗粒及纳米薄膜、发光二极管和显示装置。纳米颗粒包括氧化锌纳米颗粒和二氧化硅包覆层，氧化锌纳米颗粒的表面部分包覆有二氧化硅包覆层，二氧化硅包覆层与氧化锌纳米颗粒接触的面积占氧化锌纳米颗粒表面积的30％～70％。纳米颗粒的制备方法包括：提供氧化锌纳米颗粒和具有氧化锌纳米颗粒核心和二氧化硅包覆层的纳米颗粒；将纳米颗粒悬浮于水相溶液和油相溶液交界处；向水相溶液中加入双氧水和氢氟酸，酸蚀刻纳米颗粒中与水相溶液接触的二氧化硅包覆层，得到部分包覆二氧化硅的氧化锌纳米颗粒。本申请的纳米颗粒为非对称电子结构，可广泛用于材料界面优化，减小不同材料在界面处的相互作用，提高材料稳定性及导电性。
纳米颗粒薄膜发光二极管显示装置

[发明专利]发光器件、发光器件的制备方法及显示装置-CN202111408607.X在审
发明人：罗强 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，所述发光器件中电子传输层的材料包括金属氧化物纳米片和金属氧化物纳米针，金属氧化物纳米片与金属氧化物纳米针能够彼此填补对方的结构空隙，相较于材料为金属氧化物纳米颗粒的电子传输层，本申请实施例中发光器件的电子传输层具有膜层致密性高且比表面积较大的优点，从而增大电子传输层与发光层之间的有效接触面积，促进电子注入，进而提高发光器件的光电性能和使用寿命，所述发光器件的制备方法具有工序简单、适用于工业化生产的优点，将所述发光器件或所述发光器件的制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和使用寿命。
发光器件制备方法显示装置

[发明专利]量子点的纯化方法-CN202111401453.1在审
发明人：黄子健;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点的纯化方法。本申请的量子点的纯化方法通过含有巯基的高分子聚合物与量子点中所含有的游离镉离子络合形成沉淀，再通过固液分离去除沉淀，可有效去除量子点制备过程中因采用含镉前驱体所残留的镉离子，进一步降低镉离子的残留量，有效提高量子点的纯度，提高量子点的荧光量子效率，改善量子点的性能。
量子纯化方法

[发明专利]一种光电器件及其制备方法、显示装置-CN202111362463.9在审
发明人：罗强 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，电子传输层的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。通过加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长。或者，电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层的材料包括纳米氧化镍；其中，第一子膜层靠近阴极一侧，第二子膜层靠近发光层一侧，通过形成纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌与纳米氧化镍的复合层，束缚纳米氧化锌的晶体生长。从而避免电子传输层中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层接触的发光层，从而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。
一种光电器件及其制备方法显示装置

[发明专利]光电器件及其制备方法、显示装置-CN202111346273.8在审
发明人：周娟 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置，所述光电器件包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，发光层和电子传输层之间还设置有热电材料层，其中所述热电材料层的材料包括热电材料；所述热电材料包括碲化铋基化合物、硒化铋基化合物、硒化锡基化合物、碲化锑基化合物或者硅锗合金无机热电材料、C60/TiS2有机‑无机热电材料或硼氮配位键n‑型稠环分子有机热电材料。将该热电材料层应用于光电器件中时，可以减小漏电流和抑制载流子传输层引起的激子猝灭，避免了温度上升对光电器件的破坏，从而提高了光电器件的性能。
光电器件及其制备方法显示装置

[发明专利]纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件-CN202111389320.7在审
发明人：周礼宽;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，该纳米材料通过将金属氢氧化物层包覆在所述纳米金属氧化物表面，以此来钝化纳米金属氧化物表面的缺陷，减少表面缺陷对于电子的捕获，将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时，可以改善发光层的猝灭效应，从而提高器件的稳定性。此外，该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物的生长，防止纳米材料的团聚，增强纳米材料的稳定性。
纳米材料制备方法电致发光器件

[发明专利]纳米颗粒及其制备方法、电子传输层、量子点发光二极管-CN202111402092.2在审
发明人：李龙基 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米颗粒及其制备方法、电子传输层、量子点发光二极管，涉及显示技术领域，该纳米颗粒具有核壳结构，核壳结构包括内核和包覆内核的壳层，内核为锗掺杂的第一金属氧化物；壳层为金属元素掺杂的第二金属氧化物；金属元素掺杂的第二金属氧化物的导带能级高于第二金属氧化物的导带能级本申请还公开了该纳米颗粒的制备方法以及采用该纳米颗粒为电子传输层材料的量子点发光二极管。本申请提供的纳米颗粒相较于现有的电子传输层材料有较高的导带能级和电子迁移率。
纳米颗粒及其制备方法电子传输量子发光二极管