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[发明专利]视频分类方法、装置、服务器及计算机可读存储介质-CN202111625751.9在审
发明人：李繁;蔡云龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06V20/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种视频分类方法、装置、服务器及计算机可读存储介质，该方法首先获取关于目标对象的预设时长的视频数据，视频数据包括行为信息和声音信息，再根据声音信息确定声音特征向量，以及根据行为信息确定行为特征向量，最后，将声音特征向量和行为特征向量输入已训练的分类网络进行处理，输出目标对象对应的分类结果。本申请利用神经网络对包含有目标对象的行为信息和声音信息的视频数据进行自动分析，得到目标对象的健康状况分类结果，提高了健康状况检测效率。
视频分类方法装置服务器计算机可读存储介质

[发明专利]量子点及其制备方法、光电器件及显示装置-CN202111626163.7在审
发明人：夏思雨 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点及其制备方法、光电器件及显示装置。所述量子点包括核和设在所述核外的ZnS壳层，所述核包括磷化铟壳核和铈化合物。铈化合物能够钝化磷化铟核内的缺陷，提高量子点的发光强度，提高量子点的稳定性，收窄半峰宽，通过控制铈化合物的掺量可以对吸收波长和发射波长进行调节。
量子及其制备方法光电器件显示装置

[发明专利]信息获取方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN202111627105.6在审
发明人：张潮 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06V10/94 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种信息获取方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，该方法包括：将获取的当前待处理图像输入已训练的缺陷检测模型进行处理，输出缺陷位置预测信息；根据缺陷位置预测信息和获得的当前待处理图像的缺陷位置实际信息，对已训练的缺陷检测模型进行优化，得到已优化的缺陷检测模型；将获取的目标待处理图像输入已优化的缺陷检测模型进行处理，输出目标缺陷位置信息。通过对图像缺陷的预测以及对预测结果的校正，将预测图像作为已训练的缺陷检测模型的训练数据，以对已训练的缺陷检测模型进行优化，实现图像中缺陷的预测以及缺陷检测模型优化训练的协同进行，提高模型预测的准确性以及图像缺陷预测的整体效率。
信息获取方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]目标检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN202111630243.X在审
发明人：范财理;赵智宝 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06V40/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种目标检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质；方法包括：获取对象的历史运动位置信息和当前待检测数据；利用历史运动位置信息更新预设运动估计模型，得到更新后运动估计模型；将当前待检测数据输入更新后运动估计模型进行处理，输出对象当前的运动位置信息。采用本申请实施例，有助于提高对对象进行检测的准确性。
目标检测方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种可交互视频回放方法及可交互视频播放器-CN202211497697.9在审
发明人：汪灏泓 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F3/04815 文献下载
摘要：一种可交互视频回放方法及可交互视频播放器，包括：获得包括多个可交互数据区和多个不可交互数据区的可交互视频序列，其中每一可交互数据区存储与交互相关联的视频数据和非视频数据，并且每一不可交互数据区存储二维视频剪辑；播放可交互视频序列；检测来自用户的加入请求；以及响应于在播放多个可交互数据区之一时出现的加入请求而允许用户的虚拟形象与对象进行交互，所述对象处于和正在播放的可交互数据区对应的场景中。
一种交互视频回放方法播放

[发明专利]电致发光器件及其制备方法、显示装置-CN202111587986.3在审
发明人：袁密;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，通过在所述器件的发光层和电子传输层之间设置一膜层，所述膜层包含掺杂Nb阳离子的HfO2，通过Nb以阳离子的形式掺杂于HfO2中，形成自发极化效应，从而构建内部电场形成界面电荷高速转移通道，该通道可以协助电子传输，增强膜层的导电能力，使载流子的传输效率更强，外量子效率得到提升，从而提升器件的性能。
电致发光器件及其制备方法显示装置

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202111589053.8在审
发明人：林雄风 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/805 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。发光二极管包括叉指电极，叉指电极的表面形成有凹坑或凸起；功能层，功能层形成于叉指电极的表面，功能层的厚度小于凹坑的深度或凸起的高度；以及发光层，发光层形成于功能层的表面。该发光二极管能够改善背接触式器件结构中功能层与发光层的有效接触面积小的问题，有效减小背接触式器件结构对载流子从功能层至发光层的注入量限制，从而提升器件效率。本发明还提供了上述发光二极管的制备方法。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置-CN202111589623.3在审
发明人：田鹍飞 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，所述发光器件包括阳极、阴极、发光层和空穴功能层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，空穴功能层设置于阳极与发光层之间，空穴功能层的材料包括化合物A和化合物B，化合物A与化合物B能够自组装形成稳定的有序结构，有效地提高了空穴注入，促进了空穴‑电子传输平衡，从而提高了发光器件的综合性能；在所述的制备方法中，制备空穴功能层是将包含化合物A和化合物B混合物施加于阳极的一侧或发光层的一侧，然后干燥成膜，从而无需分别制备化合物A层和化合物B层，有利于简化制备工序和降低制造成本，并且能够适用于工业化生产。
发光器件制备方法以及显示装置

[发明专利]发光器件、发光器件的制备方法及显示装置-CN202111615373.6在审
发明人：黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，所述发光器件包括阳极、阴极、发光层和电子传输层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，电子传输层设置于发光层与阴极之间，电子传输层的材料包括具有PN异质结的半导体材料，所述半导体材料中内核的材料包括ZnTe，外壳的材料包括ZnO，有效地提高了电子传输层的稳定性，并实现发光器件的电子注入效率可控，从而提升了发光器件的综合性能，将所述发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和稳定性。
发光器件制备方法显示装置

[发明专利]一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置-CN202111616627.6在审
发明人：张天朔 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置，其方法包括：提供承载界面；利用第一溶液在承载界面上形成电子传输预制层，第一溶液包括第一电子传输材料和第一溶剂；将第二溶剂施加于电子传输预制层表面，以得到薄膜；其中，第一电子传输材料为极性第一材料，第一溶剂为极性溶剂，第二溶剂为非极性溶剂；或者，第一电子传输材料为非极性第一材料，第一溶剂为非极性溶剂，所述第二溶剂为极性溶剂。本申请通过控制晶胞尺寸改善薄膜最终成膜质量，使得载流子易于迁移，提升电子传输能力。
一种薄膜及其制备方法光电器件显示装置

[发明专利]一种管路清洗方法及其使用方法-CN202111621718.9在审
发明人：洪佳婷;敖资通;芦子哲;贺晓光;黄子健 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B08B9/032 文献下载
摘要：本申请公开了一种管路清洗方法及其使用方法，包括：向待清洗的管路中通入清洗流体；对清洗流体进行热处理，以使部分清洗流体汽化后产生蒸汽气泡；通过蒸汽气泡与清洗流体共同清洗管路。部分汽化的清洗流体使管路中的清洗流体总体积变大，提升了清洗流体的流速上限，有助于杂质清理；降低气压可使清洗流体沸点降低，避免了热处理对设备的损伤；使用微波可只针对清洗流体进行加热，对于设备的影响可忽略不计，提升了清洗能力，将此管路清洗方法应用于微流控制备量子点，提高了后续制备的量子点材料的性能。
一种管路清洗方法及其使用方法

[发明专利]设备指令识别方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202111627302.8在审
发明人：卢思瑾;赵向军 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种设备指令识别方法、装置、电子设备及可读存储介质，该方法包括：采集用户的表面肌电信号；确定表面肌电信号的目标信号类型；根据目标信号类型，确定设备启动指令。通过对采集到的用户的表面肌电信号进行信号类型的识别，以及根据识别到的目标信号类型确定设备启动指令，实现了对设备启动指令的识别。其中，通过表面肌电信号对应产生设备启动指令，提升了设备启动指令产生的多样性。
设备指令识别方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN202111614813.6在审
发明人：陈开敏 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括：依次层叠设置的阳极、量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极；其中，电子传输层的材料为量子点；空穴阻挡层的导带底能级与电子传输层的导带底能级之间的差值的绝对值小于等于1.5eV。该量子点发光二极管的载流子注入平衡。
量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]微流控芯片、微反应系统和量子点的制备方法-CN202111619508.6在审
发明人：王元 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本申请公开一种微流控芯片、微反应系统和量子点的制备方法。其中，微流控芯片包括依次连通的注入通道、混合通道、反应通道和流出通道。反应通道包括并联设置多个子反应通道，每个子反应通道的一端与混合通道的分流口连通，另一端与流出通道的汇合口连通。该微流控芯片支持反应液经过注入通道进入，在混合通道中混合，通过分流口流入多个子反应通道中同时进行反应，并汇合后经流出通道流出此微流控芯片，实现产物的合成制备。且通过设置多个子反应通道，充分利用有限的芯片空间，增加了单位时间内处在反应状态的反应液的量，从而增加了单位时间内的生成产物的产量，提高了合成效率。
微流控芯片反应系统量子制备方法

[发明专利]发光器件衰减速率的测试方法和筛选方法-CN202111611835.7在审
发明人：林雄风 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K71/70 文献下载
摘要：本申请提供一种发光器件衰减速率的测试方法和筛选方法，该测试方法通过提供含有发光层的材料、载流子传输层的材料和自由基指示剂的待测溶液，然后利用光照激发发光层中的量子点并与载流子传输层的材料反应产生自由基，通过自由基指示剂表征待检测溶液中自由基的浓度，从而实现量子点发光二极管衰减速率的测试。
发光器件衰减速率测试方法筛选