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[发明专利]逆光刻和用于掩模合成的机器学习-CN202080096379.4在审
发明人： A·A·波那瓦拉;J·J·舒;T·C·塞西尔 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：公开了与合成用于在制造半导体器件时使用的掩模相关的技术。通过使用逆光刻技术(ILT)合成与用于半导体器件的设计图案相关的一个或多个多边形来生成用于机器学习(ML)模型的多个训练掩模(106)。使用通过使用ILT所生成的多个训练掩模和用于半导体器件的设计图案两者作为输入来训练ML模型(108)。经训练的ML模型被配置为基于设计图案来合成用于在制造半导体器件时使用的一个或多个掩模(110)。
逆光用于合成机器学习

[发明专利]用于开发光刻掩模的布局的骨架表示-CN202180008833.0在审
发明人： T·C·塞西尔;D·W·托马斯 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种方法，包括以下步骤：访问在光刻掩模开发过程中使用的布局，例如，该布局可以是掩模本身的布局，或者它可以是晶圆上的所得印刷图案的布局；布局包括多个不相交的形状；确定用于布局中不相交的形状中的至少一些不相交的形状的骨架表示；个体形状的骨架表示具有由边连接的两个或两个以上节点的元素；它还包括用于元素中的至少一些元素的尺寸参数；形状的骨架表示被用在掩模开发过程中。一种系统，包括用于执行该方法的处理器。一种非暂态计算机可读介质，包括用于执行该方法的存储的指令。
用于开发光刻布局骨架表示

[发明专利]用于集成电路的基于神经网络的掩模综合-CN202080060002.3在审
发明人： T·C·塞西尔;K·胡克;M·瓜加尔多 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：系统使用诸如神经网络的机器学习模型，以用于从电路设计生成掩模设计。机器学习模型具有输入和输出，输入和输出被定位到电路设计的较小区域。机器学习模型将描述在位置的邻域中的电路设计的特征作为输入，并且生成偏移距离作为输出。系统使用偏移距离来生成掩模设计的特征，例如对应于电路设计多边形的主要特征或辅助特征。系统可以使用偏移距离以通过修改电路设计多边形进行目标优化，来获得具有改进的可制造性的电路设计多边形。
用于集成电路基于神经网络综合

[发明专利]跨集成电路芯片的随机区域实施掩模综合一致性-CN202080051730.8在审
发明人： T·C·塞西尔;K·胡克 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：系统生成针对电路设计的掩模，同时跨掩模的随机区域实施对称性和一致性。系统构建将电路图案映射到掩模图案的掩模解决方案数据库。系统使用掩模解决方案数据库来利用掩模图案替换电路设计的电路图案。系统标识电路设计的电路图案中的性质，并且在对应掩模图案中实施相同的性质。实施的性质的示例包括电路图案内的对称性和跨电路图案的相似性。系统将电路的不同区域中的掩模图案组合，并且解决在一个区域内存在多个掩模时出现的冲突。
集成电路芯片随机区域实施综合一致性

[发明专利]使用基于机器学习的编码对电子电路布局中的图案进行分类-CN202080052409.1在审
发明人： T·C·塞西尔 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：系统执行分布式或并行式图案提取和聚类，以对大型电子电路布局进行图案分类。系统利用布局表示来标识电路图案。系统使用基于神经网络的自动编码器对电路图案进行编码，以生成可以被高效地存储的编码电路图案。系统基于高的相似度将编码电路图案聚类为任意数目的簇。电路图案的簇可以用于训练和评估基于机器学习的模型。
使用基于机器学习编码电子电路布局中的图案进行分类

[发明专利]对用于电子电路的曲线掩模的掩模规则检查-CN202080041678.8在审
发明人： T·C·塞西尔 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：一种系统，用于对曲线形状执行掩模规则检查(MRC)。曲线形状的宽度沿着形状的不同部分不同。曲线形状的中轴线被确定。中轴线被修整以排除距拐角阈值距离内或距边缘太远的部分。经修整中轴线用于执行掩模规则的宽度检查。系统生成几何形状之间的中轴线，并且使用中轴线来确定两个几何形状是否至少相隔阈值距离。系统对尖拐角执行锐角检查。系统使用从顶点到形状的边界上的端点绘制的线来确定角度，这些端点在阈值距离处。这些角度用于检查锐角掩模规则违反。
用于电子电路曲线规则检查

[发明专利]使用骨架的基于规则的辅助特征放置-CN201810499601.X在审
发明人： T·C·塞西尔 -专利权人：辛奥普希斯股份有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种用于为光掩模的目标特征生成亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法，包括生成2D的基于规则辅助特征(RBAF)规则表，该规则表估计从基于模型SRAF方法所获得的结果。2D的RBAF规则表使用极坐标定义种子骨架。围绕目标特征的空白空间被划分成对应的拥有区。使用2D的RBAF规则表将种子骨架放置在拥有区中。种子骨架被拓宽，并且所得到的结构被重新骨架化。对被重新骨架化的结构执行清洁过程，消除潜在的麻烦特征，包括短截线、分叉、三重点和四重点。清洁后的骨架结构被拉直，并且多边形SRAF被放置在由被拉直的骨架结构指定的位置处。
规则表辅助特征骨架结构骨架化拉直分辨率辅助特征结构执行空白空间目标特征清洁过程围绕目标短截线光掩模极坐标潜在的位置处分叉清洁

[发明专利]用于确定掩模图案和写图案的技术-CN200880112810.9有效
发明人： T·C·塞西尔 -专利权人：朗明科技公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：在一种用于生成将在光蚀刻过程中的光掩模上使用的第三掩模图案的方法期间，向第一掩模图案添加第一特征以产生第二掩模图案。多数第一特征可以具有大于预定值的尺寸特性，并且第一特征在拓扑上与第一掩模图案中的、与目标图案中的第三特征交叠的第二特征分离。而且，第一特征可以被添加到基于第一代价函数的梯度而确定的位置，该第一代价函数至少部分地取决于第一图案和目标图案。继而，可以基于第二掩模图案来生成第三掩模图案，其中光掩模对应于第三掩模图案。
用于确定图案技术