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[发明专利]基于强度阶差的量测系统、光刻设备及其方法-CN202180090790.5在审
发明人： J·L·克鲁泽;S·R·惠斯曼;S·A·戈登;F·阿尔佩贾尼 -专利权人： ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该系统包括辐射源、衍射元件、光学系统、检测器和处理器。辐射源生成辐射。衍射元件衍射辐射以生成第一射束和第二射束。第一射束包括第一非零衍射级，第二射束包括不同于第一非零衍射级的第二非零衍射级。光学系统从目标结构接收第一散射束和第二散射辐射束，并将第一散射束和第二散射辐射束朝向检测器引导。检测器生成检测信号。处理器分析检测信号以至少基于检测信号来确定目标结构属性。第一射束相对于第二射束被衰减，或者第一散射束相对于第二散射束被有意地衰减。
基于强度系统光刻设备及其方法

[发明专利]量测系统和光刻系统-CN202180077011.8在审
发明人： S·R·惠斯曼;S·A·戈登 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：公开了一种量测系统，该量测系统包括：可操作以测量衬底上的多个目标以获取测量数据的预对准量测工具；以及处理单元。处理单元可操作以：处理所述测量数据以针对每个目标确定至少一个位置分布，该位置分布描述所述位置值在所述目标的至少部分之上的变化；以及根据所述至少一个位置分布确定测量校正，该测量校正校正所述目标中的每个目标中的目标内变化，所述测量校正用于校正由对准传感器执行的测量。
系统光刻

[发明专利]量测系统和相干调整器-CN202180082336.5在审
发明人： S·索科洛夫;S·R·惠斯曼;廉晋;S·A·戈登;M·埃拉尔普;H·P·M·佩莱曼斯;J·L·克鲁泽 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：量测系统(400)包括多源辐射系统。多源辐射系统包括波导装置(502)并且多源辐射系统被配置为生成一个或多个辐射束。量测系统(400)还包括相干调整器(500)，相干调整器(500)包括多模波导装置(504)。多模波导装置(504)包括输入和输出(518)，输入被配置为接收来自多源辐射系统(514)的一个或多个辐射束，输出(518)被配置为输出用于辐照目标(418)的经相干调整的辐射束。量测系统(400)还包括致动器(506)，致动器(506)被耦合到波导装置(502)并且被配置为致动波导装置(502)，以便改变多模波导装置(504)的输入处的一个或多个辐射束的冲击特性。
系统相干调整器

[发明专利]用于工艺灵敏度补偿的对准传感器装置-CN201980028130.7有效
发明人： S·R·惠斯曼;T·M·T·A·M·埃拉扎雷;林宇翔;V·Q·特兰;S·A·戈登;J·L·克鲁泽;C·J·马松;I·M·P·阿尔茨;K·肖梅;I·策玛 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
用于工艺灵敏度补偿对准传感器装置

[发明专利]光刻设备、量测系统及其方法-CN202180042775.3在审
发明人： S·R·惠斯曼;S·马利克;林宇翔;D·M·斯洛特布姆 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种系统，包括照射系统、光学元件、开关元件和检测器。照射系统包括生成辐射束的宽带光源。色散光学元件接收辐射束并且生成带宽比宽带光源窄的多个光束。光学开关接收多个光束并且将多个光束中的每个光束传输到传感器阵列的多个对准传感器中的相应一个对准传感器。检测器接收从传感器阵列返回的辐射并且基于所接收的辐射生成测量信号。
光刻设备系统及其方法

[发明专利]使用锁定放大器技术的重叠测量系统-CN202080084120.8在审
发明人： M·斯维拉姆;S·R·惠斯曼;J·L·克鲁泽 -专利权人： ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：检测系统(200)包括照射系统(210)、第一光学系统(232)、相位调制器(220)、锁定检测器(255)和函数发生器(230)。照射系统被配置为沿着照射路径传输照射束(218)。第一光学系统被配置为朝向衬底(202)上的衍射目标(204)传输照射束。第一光学系统还被配置为传输包括由衍射目标衍射的衍射级子束(222,224,226)的信号束。相位调制器被配置为基于参考信号来调制照射束或信号束。锁定检测器被配置为收集信号束并且基于信号束和参考信号来测量衍射目标的特性。函数发生器被配置为生成用于相位调制器和锁定检测器的参考信号。
使用锁定放大器技术重叠测量系统

[发明专利]量测传感器、光刻装置以及用于制造器件的方法-CN201880030470.9有效
发明人： S·A·戈登;S·R·惠斯曼;D·阿克布鲁特;A·波洛;S·G·J·马斯杰森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：公开了一种量测传感器装置及其相关方法。量测传感器装置包括：照射系统，可操作用于利用具有第一偏振状态的照射辐射来照射衬底上的量测标记；以及光学收集系统，被配置为在照射辐射被量测标记散射之后收集散射辐射。量测标记包括主结构，并且相对于第一偏振状态改变主要通过主结构的散射得到的散射辐射的第一部分的偏振状态和主要通过除主结构之外的一个或多个特征的散射得到的辐射的第二部分的偏振状态中的至少一个，使得散射辐射的第一部分的偏振状态不同于散射辐射的第二部分的偏振状态。量测传感器装置还包括光学过滤系统，光学过滤系统基于其偏振状态滤除散射辐射的第二部分。
传感器光刻装置以及用于制造器件方法

[发明专利]量测方法和光刻设备-CN202080076752.X在审
发明人： F·阿尔佩贾尼;H·P·M·佩莱曼斯;S·A·戈登;S·R·惠斯曼 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：公开了一种量测方法，诸如对准量测。所述方法包括在光瞳平面处获得与由结构测量产生的散射辐射相关的光瞳平面测量数据集。所述方法包括使用所述光瞳平面测量数据集以及与用于执行所述测量的传感器光学器件相关的传感器项来确定测量值或其校正。
方法光刻设备

[发明专利]计量系统和方法-CN202080060240.4在审
发明人： T·M·T·A·M·埃拉扎雷;S·R·惠斯曼;J·L·克鲁泽;S·A·戈登 -专利权人： ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述了确定与衬底相关联的套刻测量的方法和获得与图案化工艺相关联的套刻测量的系统。一种用于确定套刻测量的方法可用于光刻图案化工艺中。该方法包括通过使用相干束照射第一套刻图案和第二套刻图案来产生衍射信号。该方法还包括基于衍射信号获得干涉图案。该方法还包括基于干涉图案确定第一套刻图案和第二套刻图案之间的套刻测量。
计量系统方法

[发明专利]用于对准传感器的检测系统-CN201980067050.2在审
发明人： S·R·惠斯曼 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：公开了一种用于对准传感器的检测系统、以及包括这种检测系统的对准传感器和光刻投影装置。检测系统包括：至少一个检测电路；以及多个光纤芯，用于将测量信号传输到至少一个检测电路。多个光纤芯的至少一个子集可选择地在检测状态和非检测状态之间切换，从而限定可配置检测斑点。
用于对准传感器检测系统

[发明专利]用于光刻测量的传感器装置和方法-CN201980044059.1在审
发明人： S·R·惠斯曼;A·波洛 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种用于确定衬底(W)的目标(330)的位置的传感器装置(300)包括：被配置为将辐射束(310)投影到衬底上的投影光学元件(315；321)；被配置为收集从目标散射的测量辐射(325)的收集光学元件(321)；被配置为确定测量辐射的至少一部分(355)的光瞳函数变化，并且输出指示其的信号(340)的波前感测系统(335)；以及被配置为接收信号，并且至少部分根据所收集的测量辐射和测量辐射的至少一部分的所确定的光瞳函数变化，确定目标的位置的测量系统(350)。
用于光刻测量传感器装置方法

[发明专利]位置传感器-CN201980045196.7在审
发明人： S·A·戈登;S·R·惠斯曼;D·阿克布鲁特;A·波洛;J·A·G·阿克曼斯;A·J·登博夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种位置传感器(300)，包括被配置为向衬底(307)提供测量辐射(304)的光学系统(305，306)。光学系统被布置为接收由设置在衬底上的标记(308)衍射的辐射(309)的至少一部分。应用处理器(313)以从接收到的辐射中得出至少一个位置敏感信号(312)。测量辐射包括至少第一选定辐射波长和第二选定辐射波长。至少第一辐射波长和第二辐射波长的选择基于位置误差摆动曲线模型。
位置传感器

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