“S·J·雅各布斯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]气密密封的分子光谱室-CN201880057377.7有效
发明人： J·A·赫尔布斯摩;S·J·雅各布斯;B·S·库克;A·J·弗吕林 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种说明性的方法(和装置)包括：蚀刻第一衬底(例如，半导体晶片)中的腔(202)；在第一衬底的第一表面上和腔中形成(204)第一金属层；以及在非导电结构(例如玻璃)上形成(206)第二金属层。方法还可以包括：去除(208)第二金属层的一部分以形成可变光阑以暴露非导电结构的一部分；在第一金属层和第二金属层之间形成(210)结合，从而将非导电结构附接到第一衬底，密封(212)非导电结构和第一衬底之间的界面，和在非导电结构的表面上图案化(214)天线。
气密密封分子光谱

[发明专利]带有掩埋接地平面的气密密封分子光谱室-CN201880057373.9有效
发明人： A·J·弗吕林;J·A·赫尔布斯摩;S·J·雅各布斯;B·S·库克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于形成密封腔的方法包括将非导电结构结合(402)到第一衬底上以在第一衬底中形成非导电孔。该方法包括在非导电结构的与第一衬底相对的表面上，沉积(404)第一金属层。该方法还包括在第一金属层中图案化(406)第一可变光阑，在第一金属层的与非导电结构相对的表面上沉积(408)第一电介质层，以及在第一电介质层的与第一金属层相对的表面上图案化(410)天线。‑该方法还包括：在第一衬底中形成(412)空腔；在空腔的表面上沉积(414)第二金属层；在第二金属层中图案化(416)第二可变光阑；以及将第二衬底结合(418)到第一衬底的与非导电结构相对的表面上，从而密封该腔。
带有掩埋接地平面气密密封分子光谱

[发明专利]用于增大微机电系统装置的产率和可靠性的气体-CN201780068930.2有效
发明人： S·J·雅各布斯;M·N·辛格 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：在所描述的实例中，MEMS装置(206)包封在包含在按体积计大于1％的水平的非金属氧化物气体的密封封装(200)内。在至少一个实例中，所述MEMS装置(206)针对来自各种起因的早期故障受到保护，所述起因包含通过所述非金属氧化物气体的部分与在所述MEMS装置(206)的所述封装(200)内的各种暴露的表面和/或所述表面上的吸附的水层反应的充电、粒子生长和静摩擦。
用于增大微机系统装置可靠性气体

[发明专利]形成用于MEMS器件的钝化涂层-CN201811275883.1有效
发明人： S·J·雅各布斯;M·N·兴;L·T·莱瑟姆 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成用于MEMS器件的钝化涂层。在所描述的示例中，MEMS器件部件(104)包括钝化层(102)，该钝化层(102)由可以包括前体的蒸汽化合物和/或液体化合物形成。该化合物可以含有氨基酸、抗氧化剂、腈或其他化合物，并且可以被设置在MEMS器件部件(104)的表面(106)上和/或封装上或其封装部分上。如果化合物是前体，则该化合物可以被处理，使得从该前体形成钝化层(102)。
形成用于 mems 器件钝化涂层

[发明专利]在密封腔中沉积所测量的量的物种-CN201880057548.6有效
发明人： B·S·库克;K·沃切特勒;A·J·弗吕林;J·A·赫伯德萨默;S·J·雅各布斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：一种在密封腔中沉积分子的方法包括在腔中沉积选定数量的微囊(104)。微囊中的每个包含预定量的第一流体。在沉积微囊之后密封腔(106)。在腔被密封之后使微囊破裂，以将第一流体的分子释放到腔中(108)。
密封沉积测量物种

[发明专利]微电子密封件内的屏障结构-CN202210007981.7在审
发明人： J·L·霍姆;S·J·雅各布斯;M·A·D·罗比;K·A·舒克;K·J·泰勒 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了微电子密封件内的屏障结构。一种器件(100)包括第一衬底(114)。所述器件(100)还包括在所述第一衬底(114)上的包括金属层(120)的屏障结构(106)，其中所述屏障结构(106)形成腔室(102)。所述器件(100)还包括在所述金属层(120)上的第二衬底，其中所述金属层(120)在所述第一衬底(114)和所述第二衬底之间延伸，并且其中所述金属层(120)包括在所述腔室(102)内接触所述第一衬底(114)的倾斜边缘。
微电子密封件屏障结构

[发明专利]在密封气室空腔中产生气体的方法-CN201880071182.8有效
发明人： S·J·雅各布斯;J·A·赫布佐默;A·J·弗吕林 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：所描述实例包含气室(201)，其包含在第一衬底(202)中的空腔(203)、在所述空腔(203)中的非挥发性前体材料以及接合到所述第一衬底(202)以密封所述空腔(203)的第二衬底(206)。在形成所述密封空腔(203)之后或期间，活化所述前体材料以在所述密封空腔(203)内部释放目标气体。
密封空腔产生气体方法

[发明专利]用于毫米波分子光谱电池的气密密封包装-CN201811364120.4有效
发明人： J·A·赫布萨摩;A·J·弗鲁林;S·J·雅各布斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本发明的名称是用于毫米波分子光谱电池的气密密封包装。公开的实例提供充气光电池和制造充气光电池的方法(100)，其包括在第一基底中形成(102)腔，在腔的侧壁上形成(104)第一导电材料，在第一导电材料上形成(106)玻璃层，在第二基底的底面上形成(108)第二导电材料，蚀刻(110)第二导电材料以形成通过第二导电材料的孔径，在第二基底的顶面上形成(112)导电耦合结构，和将第二基底的底面的一部分结合(114)至第一基底的第一面的一部分以密封腔。
用于毫米波分子光谱电池气密密封包装

[发明专利]集成电路封装、晶片组合件及生产所述晶片组合件的方法-CN202011006827.5在审
发明人： S·J·雅各布斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种集成电路封装、晶片组合件及生产该晶片组合件的方法。集成电路IC封装包含：第一裸片及第二裸片，其中该第一裸片或该第二裸片中的至少一者包含光学窗，该光学窗具有介于0.1微米与1.0毫米之间的光透射波长范围；及中介层裸片，其在该第一裸片与该第二裸片之间，其中该中介层裸片在该中介层的第一表面处耦合到该第一裸片以形成第一接合界面，其中该中介层在该中介层裸片的第二表面处耦合到该第二裸片以形成第二接合界面，其中该第二表面与该第一表面相对，其中该第一接合界面及该第二接合界面形成该IC封装的密封腔，该密封腔至少部分地由该光学窗形成，且其中该中介层裸片包含电布线。
集成电路封装晶片组合生产方法

[发明专利]双晶片结合的气密性密封分子光谱单元-CN201880056757.9在审
发明人： A·J·弗吕林;J·A·赫尔布斯摩;B·S·库克;S·J·雅各布斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种方法包括在衬底上形成(202、204、206)氧化物层和金属层。例如，这些层可以包括夹在氧化硅层之间的金属层。然后将非导电结构比如玻璃结合(208)到氧化物层中的一个。然后可以将天线图案化(210)在非导电结构上，并且可以在衬底中形成(212)腔。另一金属层沉积(214)在腔的表面上，并且将圈图案化(216)在金属层中以暴露氧化物层中的一个。在第二衬底上形成(220)另一金属层，并将这两个衬底结合在一起，从而密封该腔。
双晶结合气密性密封分子光谱单元

[发明专利]封装电子装置中的密封腔-CN201810992185.7在审
发明人： A·J·弗吕林;J·A·赫布佐默;S·J·雅各布斯;B·S·库克;J·F·哈洛斯;R·朗 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请案涉及封装电子装置中的密封腔。电子装置(100)包含封装衬底(102)、电路组合件(103)，及外壳(110)。所述电路组合件(103)安装在所述封装衬底(102)上。所述电路组合件(103)包含形成于装置衬底(104)中的第一密封腔(106)。所述外壳(110)安装在所述封装衬底(102)上以在所述电路组合件(103)周围形成第二密封腔(114)。
电路组合件密封腔封装电子装置电子装置申请案衬底

[发明专利]微机电系统（MEMS）元件的用于改善可靠性的介电包覆-CN201711452186.4在审
发明人： S·J·雅各布斯;M·N·斯樱;K·J·泰勒 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请涉及微机电系统(MEMS)元件的用于改善可靠性的介电包覆。在所描述的示例中，一种形成微机电器件的方法包括：在衬底上形成(102)包括导电层的第一金属层；在第一金属层上形成(104)第一介电层，其中第一介电层包括一个或多个单独的介电层；在第一介电层上形成(106)牺牲层；在牺牲层上形成(108)第二介电层；在第二介电层上形成(110)第二金属层；以及移除(112)牺牲层以便在第二介电层与第一介电层之间形成间隔。移除牺牲层使得第二介电层能够在至少一个方向上相对于第一介电层移动。
介电层牺牲层第一金属层微机电系统包覆介电移除第二金属层微机电器件导电层衬底移动申请

[发明专利]用于半导体器件的消反射涂层及其方法-CN200680016740.8有效
发明人： P·G·苏达卡;R·L·亚当斯;J·M·纳得瑞其;S·J·雅各布斯;L·A·威塞斯凯;L·M·威尔斯;W·D·卡特;J·C·弗雷德里克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例，半导体器件(200)包括设置在半导体器件的衬底(226)的上表面上的第一介电材料层(208)和设置在介电材料的上表面上的第一非导电金属层(206)。所述第一介电材料层和所述第一非导电金属层作为由所述第一非导电金属层接收的电磁辐射的光阱。在具体实施例中，半导体器件可进一步包括设置在第一非导电金属层的上表面上的第二介电材料层和设置在所述第二介电材料层的上表面上的第二非导电金属层。
用于半导体器件反射涂层及其方法

1
共 13 条